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Ge의 경우에는 0.3V이상의 전압이 가해져야 전류가 흐른다는 것을 알았다. 또한 반도체 내부의 저항과 여로요인 때문에 입력된 양보다 약간 줄어든 파형을 볼 수 있었다.
I-V특성곡선을 나타내기 위해 오실로스코프 X-Y모드 출력파형을 이용하
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, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3. 실험결과
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⑦ 표 11-1의 측정값을 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 전류특성 곡선을 그린다.
3. 실험 장비
전압계
브레드 보드
4. 실험 결과 및 고찰
실험 결과
전류
입력전압
Ge Diode
Si Diode
순방향[]
역방향[]
순방향[]
역방향[]
1V
0.8 mA
0 mA
0.5 mA
0 mA
2V
2
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Diode)
- Laser 다이오드 (Laser Diodes)
- 정전류 다이오드(Current Regulator Diode)
- PIN 다이오드 (PIN Diode)
- 터널 다이오드 (Tunnel Diode : Esaki Diode)
4. 다이오드 특성 곡선
- DC측정법에 의한 특성곡선 추출
- AC측정법에 의한 특성곡선 추출
5. Si 와 Ge 다
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Ge diode], 1N914 [Si diode])
Multimeter (2 개)
4. 실험 방법
(1) 다이오우드의 순방향 전류-전압 특성
1) 그림 6의 회로를 만들되, Si 다이오우드를 사용하시오. 다이오우드에서 띠가 둘려 있는 쪽이 음극입니다.
2) Vf를 변화시키며 If의 값을 관측하다가, If
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