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비휘발성 메모리 소자의 제작 및 특성 연구” 한규일(경희대학교 대학원 석사학위 논문)
- “낸드 플래시 메모리 소자의 제조방법에 대한 특허 조사”
성균관대학교 정보통신 소자 연구실
- www.wips.co.kr 특허검색
- 삼성전자 반도체 홈페이지
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메모리셀을 구성하는 소자 수를 절반으로 줄여 DRAM과 동등한 크기로 축소시킬 계획이며 이에 필요한 TMR의 Magnetic Ratio(MR비)를 40%까지 향상시키는 기술확보가 가능한 것으로 예측하고 있음
- B회사는 MR비가 35%인 TMR소자를 사용한 셀구조를 실현
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비휘발성메모리
기반의 버퍼캐쉬 관리」, 『The Journal of The Institute of Internet, Broadcasting and Communication (IIBC)』, 제 16권, 3호, 2016 DOI: http://dx.doi.org/10.7236/JIIBC.2016.16.3.7 I. 서론
II. 본론
(i) 컴파일러와 인터프리터 장단점
(ii) CD-ROM, DVD, 그리
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메모리 반도체 분야 시장점유율 1위를 차지하고 있으며, 파운드리 반도체 분야에서는 2위를 차지하고 있다. 하지만, 펩리스(반도체 설계) 분야에서는 두각을 나타내는 한국 기업들은 그다지 많지 않다. 4차 산업 혁명 시기에 반도체 분야에서
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1.강유전체 메모리(FRAM)란?
Ferroelectric Random Access Memory의 약자로서, 기존의 DRAM과 거의 똑같은 구조와 동작원리를 가진 기억소자.
강유전체 (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메
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Memory Workshop 2003)한 바 있다. 또한,과기분 21C 프론티어 사업의 일환으로 수행된 본 Feasibility 연구의 결과로 비휘발성 상변화 메모리 재료특성평가 방법( KIST,국내특허 file no.03-7541) 되는 성과가 있었다.
비휘발성 상변화 메모리 기술의 개발역사
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메모리 기술 조사연구보고서, JEITA 보고서, 2003.
[3] 진화하는 비휘발성 메모리, MRAM, FeRAM, OUM의 해설 Nikkei Electronics, 2002, 12.27 I. 서 론
II. 본론
1. 기존의 상용화 메모리 기술
2. MRAM 기술
(1) 기본적인 구조 및 동작원리
(2) 최근의 기술
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경우)시 필요한 공인인증서를 저장하여 사용. 1. 주기억 장치로서의 메모리의 기능
2. 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리의 차이점을 비교 설명
3. 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리의 종류를 나열하고, 각 종류에 대해 구체적으로 설명
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Memory)
1. 상변화 기술이론
2. PRAM
3. 국내의 기술개발 현황
Ⅱ. FRAM (Ferroelectrics Random Access Memory)
1. FRAM의 도입
2. 이상적인 비휘발성 메모리, FRAM
3. 전기분극 벡터의 중요성
4. 잔류분극을 이용한 2진법 메모리, FRAM
5. FRAM 커패시터로서 요구
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메모리 소자의 제작 및 특성 연구, 경희대학교 대학원 석사학위 논문 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 메모리의 개념
1. 실제 메모리와 논리적 메모리 개념
2. 메모리의 계층 구조 개념
3. 메모리 관리 정책
Ⅲ. 메모리의 분류
1. RAM(Random Access Memory)
1) SRA
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