MOSFET[Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,금속산화막반도체 전계효과 트랜지스터]

목차

1.공핍형 MOSFET

2.증가형 MOSFET

3.MOSFET의 개발과 사용처

본문내용

문턱전압이다. 문턱전압을 측정하기 위한 또 다른 방법은 드레인 단자에 작은 전압(보통 0.05 V)을 인가하고 게이트 전압을 변화시키면서 드레인 전류를 측정한다.
MOSFET의 개발과 사용처
MOSFET의 개발은 1960년 Bell Lab.에서 강대원 박사와 Atalla에 의해 처음 개발되었다. MOSFET는 그 동작이 간단하고 집적도가 높아 메모리 또는 디지털 및 아날로그의 집적회로 등의 회로에 필수적으로 사용되고 있다. MOSFET는 다양한 종류가 있으나 일반적으로 매우 낮은 입력 전류와 낮은 입력 용량을 지닌다. 또한 비교적 낮은 증폭률을 가지고 있으며,*클리핑이 온화하게 일어나고 클리핑으로부터 빠르게 회복할 수 있다. 전력용 MOSFET일 지라도 DC게이트 전류는 거의 흐르지 않으며, AC 게이트 전류도 매우 작다. MOSFET는 안정적이지만 까다로운 소자이다. MOSFET는 열폭주 현상이 없고 2차항복도 없다. 그러나 게이트의 절연막은 정전기나 자장에 의해 깨지기 쉽고, 잘못된 사용시 진공관처럼 견딜 수 있는 능력이 없다. 실생할에서 쓰이는 곳은 오디오 엠프, 컴퓨터 칩 등에 많이 쓰이고PDP안에 회로에는 고내압MOSFET가 들어간다고 한다.

키워드

MOSFET,   MOSFET 단면구조,   MOSFET의 개발,   MOSFET의 개발과 사용처,   공핍형 MOSFET,   MOSFET의 종류