MOSFET의 동작 및 특성

소개글

MOSFET의 동작 및 특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

I. 서론

II. 본론
A. MOSFET
i. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
ii. MOSFET의 종류
B. MOSFET의 구조 및 동작
i. EMOS(증가형) FET
ii. DMOS(공핍형) FET
C. MOSFET의 보호회로

III. 결론

IV. 참고사항

본문내용

의 보호회로
MOSFET의 VGS 전압이 약 100V를 넘으면 게이트의 SiO2 층이 파괴된다. 즉 MOSFET는 일상적으로 발생되는 정전기에 매우 약하다. 따라서 입력 게이트 단자에 보호회로를 설치함으로써 정전기 등으로부터 보호할 필요가 있다.
<그림 3-1> 입력단자 보호회로
<그림 3-1>은 두 개의 다이오드 D1과 D2를 게이트 단자에 추가함으로써 정전기 등으로 인한 SiO2 층의 절연파괴를 막을 수 있는 방법을 보여준다. 입력전압이 VDD + 0.7V 이상인 경우, D1은 ON이 되고 D2는 OFF이므로 게이트 전압은 VG = VDD + 0.7V 로 고정된다. 입력전압이 -VSS - 0.7V 이하인 경우, D1은 OFF이고 D2는 ON이므로 게이트 전압은 VG = -VSS - 0.7V 로 고정된다. 즉 게이트 전압은 -VSS - 0.7V < VG < VDD + 0.7V 범위 안의 값으로 고정되기 때문에 MOSFET를 보호할 수 있다.
III. 결론
이와 같이 MOSFET는 게이트(G), 드래인(D), 소스(S)의 단자로 구성되어 있고 EMOS FET와 DMOS FET로 나뉘고 여기서 또 N채널형과 P채널형으로 나뉜다. 가장 기본적인 특징은 JFET와는 달리 게이트가 채널로부터 SiO2의 산화물로 분리 즉 절연이 되어있다는 점이다. 그러므로 게이트 전류는 흐르지 않는다. EMOS는 증가형 FET로써 DMOS와 다른점은 기본적으로 채널을 구성하고 있지 않아 게이트-소스간 전압(VGS)이 인가되지 않으면 드래인-소스간 전류(ID)이 흐르지 않고 VGS가 인가되어야만 ID가 흐르므로 VGS 전압으로 ID를 조절한다. DMOS는 공핍형 FET로 EMOS와는 달리 처음부터 채널을 형성하고 있어 VGS를 인가하지 않아도 ID는 일정하게 흐른다. 즉 VGS < 0 은 영역에서도 동작하는 특성을 지닌다. DMOS 역시 VGS를 인가하게 되면 VGS의 크기에 따라 채널의 폭을 조정하여 ID를 조정할 수 있다. 이상을 이 리포트를 작성하면서 알 수 있었다.
IV. 참고사항
책 제목 출판사 저자 페이지
최신전자회로, 진영사, 조재황, p135～141
알기쉬운전자회로 복두출판사 김영태 외 p151～157
고등학교 산업전자 교육부 충남대 공업교육연구소 p32～34
인터넷
(hyukjin8383의 Blog) http://blog.naver.com/hyukjin8383?Redirect=Log&logNo=80029667536

키워드

MOSFET,   FET,   EMOS,   DMOS