전자회로실험결과-트랜지스터 전압분배 바이어스

본문내용

㎃ (c) 6㎃ (d) 7.5㎃
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 정확인 4.79V가 나오게 되는데 여기서 트랜지스터 한 개의 전압강하(0.7V)를 빼면 4.09V가 VE값이 되게 된다. 여기서 옴의 법칙을 이용하면 IE값을 구할 수 있는데 VE/RE를(4.09V÷1K) 함으로써 4.09mA가 IE값이 되게 된다. 여기서 가장 가까운 4mA가 답이 된다.
2. 그림 11-1과 같은 회로의 트랜지스터에서 β가 증가한다면 VB는?
(a) 감소한다. (b) 증가한다.
(c) 근본적으로는 그대로 유지된다.
⇒ VB=Vcc×R2/(R1+R2)에서 VB값은 전혀 β의 영향을 안 받는 것을 알 수 있다 그러므로 트랜지스터의 β의 감소나 증가로 인해서 VB값은 영향을 받지 않는다.
3. R2가 커진다면?
(a) VB가 감소한다. (b) Ic가 감소한다.
(c) VCE가 증가한다. (d) VC가 감소한다.
⇒ 만약 R2값이 증가하게 되면 VB=VCC×R2/(R1+R2)의 공식에 의해 분자가 커지게 되므로 VB값이 증가하게 된다. 그렇게 되면 VE=VB-0.7V의 공식에 의해 VE값이 증가하게 되고, 이것은 IE=VE/RE에 의해 IE가 증가하게 된다. 여기서 IE는 IC와 거의 같으므로 결국 IC의 증가를 의미하게 된다. 이때 VC=VCC-(IC×RC)와 VCE=VCC-[IC×(RC+RE)]에 의해 VCC는 일정한데 모두 IC값이 증가하게 되므로 결국 VC와 VCE의 값들은 모두 감소하게 되는 것을 말한다. 그러므로 R2값이 증가하면 VB와 IC는 증가하고 VCE와 VC는 감소하게 된다.
4. 그림 11-1과 같은 회로의 컬렉터 포화전류는 대략 얼마인가?
(a) 4㎃ (b) 7.5㎃ (c) 10㎃ (d) 15㎃
⇒ Vcc=VCE+ICRC+IERE, 즉 Vcc=VCE+IC(RC+RE)에서 컬렉터 포화전류일 경우에는 VCE가 0 V 일 경우 이므로 다시 식을 재정리하면 Vcc=IC(RC+RE)가 된다. 각각의 값을 대입하면 15 V = IC (1K + 1K) 가 되어 IC값은 7.5mA가 된다.
5. 그림 11-1과 같은 회로에서 차단상태일 때 컬렉터-이미터 전압은?
(a) 4V (b) 8V (c) 10V (d) 15V
⇒ Vcc=VCE+ICRC+IERE, 즉 Vcc=VCE+IC(RC+RE)에서 차단상태일 경우에는 VCE가 0 V이기에 다시 식을 재정리하면 VCC=VCE가 된다. 그러므로 답은 15V가 된다.

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전자회로,   트랜지스터,   전압분배,   전압분배바이어스