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시스템은 상압에서 1013~1015cm3의 높은 전자 및 이온 중성 을 근본적으로 활용할수 있으므로 증착효율을 크게 증대시킬 수 있는 장점이있다. 표면처 리를 위한 기판에 샘플을 scan 하기쉽게 10mm의 도파관형을 선택하여 2kw범위의 마이크로 웨이브를 사용하여 우선 Ar과 O2,N2의 가스를 사용하여 출력 변화를 주면서 표면처리를 할 수있다.
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