[물리학 실험] 지너다이오드 특성 실험

소개글

[물리학 실험] 지너다이오드 특성 실험에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론

3. 실험 기구

4. 실험 방법

5. 결과

6. 토의

본문내용

.3
-85.1
-95.8
-113.9
-121.2
반면 역방향 바이어스가 걸리게 되면 아래 그래프에서 알 수 있듯 -4.3V까지의 영역에서는 역포화전류의 미미한 양만이 관측됨을 알 수 있다. 그러다 이것이 -4.5V가 넘어감에 따라 역방향 전류가 급격하게 증가하는 항복현상이 일어남을 볼 수 있다.
위의 결과에 따라 지너전압은 -4 ~ -4.5[V] 사이임을 알 수 있다.
- 토의 -
다이오드에 역방향바이어스를 걸어주면 역포화전류만이 흐르다가, 바이어스가 어느 수준을 넘어서면 역방향전류가 급격히 증가하는 항복현상이라고 한다. 이 항복현상이 발생하면 갑자기 큰 전류가 흐르게 되어 많은 열이 발생하므로 다이오드가 손상되는데, 이러한 항복현상을 이용하기 위해서 큰 전류를 견딜 수 있도록 만들어 진 것이 지너 다이오드다.
지너 다이오드에서는 순방향 바이어스를 걸어주면 전류가 증가하게 되고, 역방향 바이어스를 걸어주었을 때는 작은 크기의 역포화 전류가 흐르다 지너전압 부근에서 갑자기 전류가 증가하는 항복현상을 볼 수 있다.
위의 (a)와 같은 그래프가 그려지는 것이다.
이번 실험에서 우리가 측정한 전류로 그린 그래프 역시 위의 그래프 형태와 일치한다.
이번 실험으로 다이오드, 지너다이오드, 지너다이오드의 특성 등 많은 개념들을 접할 수 있었으며 특히 항복현상을 직접 확인해 볼 수 있었다. 회로를 만드는 기판을 처음 접하여서 실험이 어렵게 느껴졌지만 회로를 만들고 나서는 어려운 점은 없었다. 처음엔 전류 측정이 잘 되지 않아서 저항값을 조금씩 높여가면서 조절을 해 주었는데 그 부분에서 좀 까다로웠던 것 같다.

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