목차
1. 실험목적
2. 관련지식
1) 키르히호프의 제1법칙
2) 키르호프의 제2법칙
3) 키르히호프의 법칙을 사용할 때의 순서
4) 회로의 직렬 연결
5) 회로의 병렬연결
6) Positive Logic AND Gate
7) AND 게이트
3. 실험장치 및 재료
4. 실험방법
2. 관련지식
1) 키르히호프의 제1법칙
2) 키르호프의 제2법칙
3) 키르히호프의 법칙을 사용할 때의 순서
4) 회로의 직렬 연결
5) 회로의 병렬연결
6) Positive Logic AND Gate
7) AND 게이트
3. 실험장치 및 재료
4. 실험방법
본문내용
O를 측정한 후 ID를 계산하고 ⑦과 비교한다.
⑨ Fig. 3-5와 같이 회로를 꾸미고 저항 R을 측정한다.
Part1의 결과를 이용하여 이론상의 V1, VO와 ID를 계산한다.
V1, VO를 측정하고 과 비교한 후, ID를 계산한다.
Part3. Parallel configuration
① Fig. 3-6과 같이 회로를 꾸미고 저항 R을 측정한다.
② Part1의 결과를 이용하여 VO와 VR을 계산한다.
③ VO와 VR을 측정하고 ②와 비교해 본다.
④ Fig. 3-7과 같이 회로를 꾸미고 저항 R을 측정한다.
⑤ ②, ③의 과정을 반복한다.
⑥ Fig. 3-8과 같이 회로를 꾸민 다음, 저항 R을 측정하고 ②, ③의 과정을 반복한다.
Part4. Positive Logic AND Gate
① Fig. 3-9와 같은 회로를 꾸미고 저항 R을 측정 후 기록한다.
② Part1의 VT를 이용하여 이론상의 VO를 구한다.
③ 실제 회로에서 VO를 측정한 후 ②의 결과와 비교한다.
④ Fig. 3-9의 각 입력 터미널에 5V를 적용하고 VO를 계산한다.
⑤ VO를 측정한 후 ④의 결과와 비교한다.
⑥ Fig. 3-9의 입력 단자를 0으로 맞추고 이론상의 VO를 계산한다.
⑦ 실제 회로에서 VO를 측정한 후 ⑥의 결과와 비교한다.
Part5. Bridge configuration
① Fig. 3-10과 같은 회로를 꾸미고 저항 R1, R2를 측정한다.
② Part1의 VT를 이용하여 이론상의 VO, VR3를 계산한다.
③ VO, VR3를 측정하고 ②와 비교한다. VO를 측정할 때에는 낮은 전압하에서 측정한다.
⑨ Fig. 3-5와 같이 회로를 꾸미고 저항 R을 측정한다.
Part1의 결과를 이용하여 이론상의 V1, VO와 ID를 계산한다.
V1, VO를 측정하고 과 비교한 후, ID를 계산한다.
Part3. Parallel configuration
① Fig. 3-6과 같이 회로를 꾸미고 저항 R을 측정한다.
② Part1의 결과를 이용하여 VO와 VR을 계산한다.
③ VO와 VR을 측정하고 ②와 비교해 본다.
④ Fig. 3-7과 같이 회로를 꾸미고 저항 R을 측정한다.
⑤ ②, ③의 과정을 반복한다.
⑥ Fig. 3-8과 같이 회로를 꾸민 다음, 저항 R을 측정하고 ②, ③의 과정을 반복한다.
Part4. Positive Logic AND Gate
① Fig. 3-9와 같은 회로를 꾸미고 저항 R을 측정 후 기록한다.
② Part1의 VT를 이용하여 이론상의 VO를 구한다.
③ 실제 회로에서 VO를 측정한 후 ②의 결과와 비교한다.
④ Fig. 3-9의 각 입력 터미널에 5V를 적용하고 VO를 계산한다.
⑤ VO를 측정한 후 ④의 결과와 비교한다.
⑥ Fig. 3-9의 입력 단자를 0으로 맞추고 이론상의 VO를 계산한다.
⑦ 실제 회로에서 VO를 측정한 후 ⑥의 결과와 비교한다.
Part5. Bridge configuration
① Fig. 3-10과 같은 회로를 꾸미고 저항 R1, R2를 측정한다.
② Part1의 VT를 이용하여 이론상의 VO, VR3를 계산한다.
③ VO, VR3를 측정하고 ②와 비교한다. VO를 측정할 때에는 낮은 전압하에서 측정한다.
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