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그 각도가 정면을 향하는 경우 중력으로 포획되는 대신 핵을 선회 후 속도가 줄지 않고 시료 밖으로 다시 튀어나가는 전자를 후방 산란 전자(BSE) 라한다. 검출기가 전자의 이동 경로 상에 위치하며 모든 원소는 원자핵의 크기가 다르며, 커질수록 이 BSE 숫자도 늘어난다. 이로 인해 시료의 표면에서 원자 번호의 차이에 의한 대비가 후방 산란 전자 상에 나타난다. 따라서 이 상으로는 시료의 조성에 대한 정보(원자번호)를 감지할 수 있다.
아래 image를 참고하여 accelerating volatage 가 SEM image 및 sample에 미치는 영향에 대하여 설명하시오
가속전압(accelerating volatage)은 전자빔의 크기를 조절 한다. 전자를 이용한 sample의 측정에서 전자는 sample에 부딪치며 그 크기만큼의 충돌구가 형성되며, 전자빔의 크기가 클수록 깊은 구가 형성된다. 높은 가속전압은 위에서의 이유로 낮은 가속전압보다 불분명한 smaple image을 보여주며 큰edge effect, sample에 많은 전하의 저장으로 인한 sample이 하얗게 보이는 현상을 일으킨다. 또한 sample에 낮은 가속전압보다 많은 손상을 준다.
아래 image를 참고하여 accelerating volatage 가 SEM image 및 sample에 미치는 영향에 대하여 설명하시오
가속전압(accelerating volatage)은 전자빔의 크기를 조절 한다. 전자를 이용한 sample의 측정에서 전자는 sample에 부딪치며 그 크기만큼의 충돌구가 형성되며, 전자빔의 크기가 클수록 깊은 구가 형성된다. 높은 가속전압은 위에서의 이유로 낮은 가속전압보다 불분명한 smaple image을 보여주며 큰edge effect, sample에 많은 전하의 저장으로 인한 sample이 하얗게 보이는 현상을 일으킨다. 또한 sample에 낮은 가속전압보다 많은 손상을 준다.
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