목차
1) 실험목적
2) 실험이론
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
C. 키르히호프의 법칙
3) 실험장치 및 기구
4) 실험방법
A. 옴의 법칙 실험
B. 다이오드 특성 실험
C. 키르히호프(Kirchhoff)의 법칙 실험
5) 실험결과
B. 다이오드 특성
C. Kirchhoff의 법칙 실험
6) 분석 및 토의
7) 참고문헌
2) 실험이론
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
C. 키르히호프의 법칙
3) 실험장치 및 기구
4) 실험방법
A. 옴의 법칙 실험
B. 다이오드 특성 실험
C. 키르히호프(Kirchhoff)의 법칙 실험
5) 실험결과
B. 다이오드 특성
C. Kirchhoff의 법칙 실험
6) 분석 및 토의
7) 참고문헌
본문내용
부른다.
전기저항의 단위는 옴(Ω)을 사용한다. 1옴은 도선 양끝에 1볼트(V)의 전압 V가 걸려서 1암페어(A)의 전류 I가 흐를 때 그 도선의 전기 저항값을 말한다.
옴의 법칙은 전류의 세기는 전압에 비례한다는 법칙이다. 전류를 V, 전류를 I, 저항을 R로 나타내면 V=IR의 관계가 성립한다는 것이다. 저항 R은 도선의 재질, 길이, 굵기에 따라 달라진다. 도체가 금속일 경우에는 성립하나 기체 중의 전류에는 성립하지 않는다. 또한 반도체인 다이오드, 트랜지스터 등은 옴의 법칙이 성립하지 않는다.
이번실험을 통해 옴의 법칙에서 V=IR의 관계가 성립함을 관찰을 통하여 알 수 있었다. 또한 옴의 법칙이 성립하지 않는 물체도 있는데 다이오드는 그 중의 하나라는 것도 알 수 있었다. 이번실험에서 전류가 너무 작게 측정되고 전체전압과 다이오드에 양쪽에 같은 전압이 걸리는 오차가 발생하기도 하였는데 오차의 원인으로는 정확한 전압을 걸어주지못한 점과 회로을 구성하는데 이써 다이오드와 도선, 회로사이의 접촉이 완전하지 않았던 점을 들 수 있겠다.
7) 참고문헌
일반물리학실험 / 장지익 / 초판 2003/ p163-169 / 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드특성)
전기저항의 단위는 옴(Ω)을 사용한다. 1옴은 도선 양끝에 1볼트(V)의 전압 V가 걸려서 1암페어(A)의 전류 I가 흐를 때 그 도선의 전기 저항값을 말한다.
옴의 법칙은 전류의 세기는 전압에 비례한다는 법칙이다. 전류를 V, 전류를 I, 저항을 R로 나타내면 V=IR의 관계가 성립한다는 것이다. 저항 R은 도선의 재질, 길이, 굵기에 따라 달라진다. 도체가 금속일 경우에는 성립하나 기체 중의 전류에는 성립하지 않는다. 또한 반도체인 다이오드, 트랜지스터 등은 옴의 법칙이 성립하지 않는다.
이번실험을 통해 옴의 법칙에서 V=IR의 관계가 성립함을 관찰을 통하여 알 수 있었다. 또한 옴의 법칙이 성립하지 않는 물체도 있는데 다이오드는 그 중의 하나라는 것도 알 수 있었다. 이번실험에서 전류가 너무 작게 측정되고 전체전압과 다이오드에 양쪽에 같은 전압이 걸리는 오차가 발생하기도 하였는데 오차의 원인으로는 정확한 전압을 걸어주지못한 점과 회로을 구성하는데 이써 다이오드와 도선, 회로사이의 접촉이 완전하지 않았던 점을 들 수 있겠다.
7) 참고문헌
일반물리학실험 / 장지익 / 초판 2003/ p163-169 / 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드특성)
추천자료
- [전자회로]LED(발광다이오드)의 설명과 이해
- 제 4장 (결과) 다이오드 종류 및 특성
- 직렬, 병렬 다이오드
- 트랜지스터, 다이오드, 결과보고서 - 논리게이트
- n,p형반도체와 재너다이오드 그리고 리소그래피기술 (lithography)
- DIODE(다이오드) TR(트랜지스터) FET 종류와 동작특성
- [전자회로실험] 접합 다이오드의 특성 예비보고서
- [실험1-예비] 다이오드의 특성 (예비)
- 직렬 및 병렬 다이오드 구조
- [기초 전자 회로실험] 다이오드 특성
- 실험7. 제너 다이오드의 특성 예비
- 01 접합 다이오드의 특성
- 옴의법칙, 반도체 다이오드 (결과보고서)
- (3) 제너 다이오드의 로우딩 (결과보고서)
소개글