|
있었을 것이다.
7. 참고문헌
※ Microelectronic CIRCUITS, 5th, Sedra/Smith, Oxford, chap 3
※ 대학전자회로 실험, 1997년, 청문각, 이승훈외 3명 335~360p 1. 제목
2. 목적
3. 이론
4. 실험 결과 및 분석
5. 검토 및 보고 사항 (디자인 프로젝트)
6. 토의
|
|
|
, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3. 실험결과
|
|
|
다이오드란? 무엇인가?
2. 다이오드의 양호/불량 시험
3. 다이오드 종류 및 특성
- 제너 다이오드
- Schottky Diode
- 발광 다이오드 (LED : Light Emitting Diode)
- 광다이오드 (Photo Diode)
- Laser 다이오드 (Laser Diodes)
- 정전류 다이오드(Current Regulator Diod
|
|
|
션한 결과는 다음과 같다.
인가전압이 0.8V 정도가 되면 급격하게 증가하기 시작하던 실제 실험에서의 전류와 달리, 이론상의 시뮬레이션에는 0.8V까지는 증가폭이 그리 크지 않았다. 그러나 대체적인 다이오드의 동작 성향은 일치함을 알 수
|
|
|
용한 제너다이오드는 정전압 안정회로에 사용된다.
그림2)는 Zener Diode의 일반적인 회로를 나타내는데, 제너다이오드는 항상 역방향 전압을 인가하여 사용한다. 여기서 제너다이오드에 직렬로 연결된 저항 R은 입력 전압이 변동하였을 때 회로
|
|
|
제너다이오드가 역전압을 견디지 못하고 covalent bond가 깨져버리기 때문에 순간적으로 역방향에 전류가 크게 흐르게 되는 것이다. 실험주차
실험목적
실험개요
이론적 배경
1. PN Diode
2. Zener Diode
실험방법
토의/고찰
|
|
|
3-3 실험 ③
(전자회로 실험 P. 29 그림 4-8)
1. 전자회로 실험 P. 29 그림 4-8의 회로를 구성한다.
2. 오실로스코프로 입력과 출력파형을 관찰하고, 측정된 파형을 전자회로 실험 P. 30 그림 4-9에 도시한다.
3-4 실험 ④
(전자회로 실험 P. 30 그림 4-10)
1.
|
|
|
전자회로 실험 P. 86 그림 10-2. 공통 콜렉터 증폭기
공통 콜렉터 증폭기의 특성
- 중간정도의 전류이득
- 이주 낮은 전압이득(1이하)
- 높은 입력 임피던스
- 낮은 출력 임피던스
2.2 실험 원리
① 직류 등가회로의 형성
에미터 공통 교류 증폭기의
|
|
|
전자기기가 그렇듯 마모가 되어 제대로 된 값이 도출되지 않았을 가능성이 있다.
8. 참고문헌
전자회로실험 P.69~83
데이터 시트 검색엔진 https://www.alldatasheet.co.kr/ 1. 실험 목표
2. 관련이론
2-1 기초 이론
2-2 소개
2-3 소자(부품) 소개
3. P
|
|
|
회로 구성 시 요구되는 부품이 매우 적다는 장점을 가지고 있다.
※ 전자회로 실험 P.60 그림 8-1 (바이폴라 트랜지스터에 대한 바이어스 형태)
3. 공식
베이스 바이어스
(1)
(2)
(3)
에미터 바이어스
(1)
만약, 이면,
(2)
(3)
(4)
전압분배 바이어
|
|
메뉴펼치기
