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GaAsP(gallium arsenide phosphide) LED : red or yellow
GaP(gallium phosphide) LED : red or green
TIL221 red, TIL222 green 전자회로1실험
<실험결과보고서>
실험목적
이론적 배경(원리 및 관련이론)
실험절차 및 방법
실험결과
결론 및 검토
참고문헌
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① 실험 결과(1) 그림 20-2의 회로를 구성하여라.(2) 입력신호를 1Vp-p로 하고 주파수를 100Hz 로부터 서서히 증가시키면서 출력의 변화를 관찰한다.
회로 구성
일 때, 200Hz
일 때, 400Hz
일 때, 800Hz
일 때, 1600Hz
일 때, 200Hz
일 때, 400Hz
일 때, 800Hz
일 때,
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결과 Modulation input이 증가할수록 PWM 듀티는 증가하는 것을 확인 할 수 있었고, PWM 듀티가 증가하면 출력이 High state의 비율이 증가하는 것이기 때문에 DC 모터의 속도가 증가한다고 할 수 있습니다.
그리고 1초 계수기 실험에서는 회로를 구성하
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다이오드의 특성에 대해 알아 본 뜻깊은 실험이었다. 예비보고서
1. 실험의 목적
2. 실험을 위한 기초 이론
3. 실험방법
4. P-spice 시뮬레이션
결과보고서
1. 실험의 목적
2. 실험용 기기 및 부품
3. 실험 결과
4. 고찰 및 토의
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보고서에서 설계한 S/H 회로를 구현하고, 그 동적을 확인하시오.
예비보고서에서 설계한 A/D 변환기를 구현하고, 그 동작을 확인하시오.
실험 결과
위 회로에서 R을 8개로 연결하여서 SW를 on-off해 가면서 Volatage 값을 확인
00000000
-0.010V
00000001
0.00
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결과
※ Vout = 대략 1.5V정도 나오는 모습입니다.
⑦ RL을 1KΩ으로 대치하였을 때의 결과
※ Vout = 대략 775mV정도 나오는 모습입니다.
5. 데이터 시트
※이번에 사용한 소자는 트랜지스터 2N3904입니다.
6. 실제 실험 결과
① P. 72 표 9-1의 회로 실험
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보고서에서 설계한 S/H 회로를 구현하고, 그 동적을 확인하시오.
예비보고서에서 설계한 A/D 변환기를 구현하고, 그 동작을 확인하시오.
실험 결과
위 회로에서 R을 8개로 연결하여서 SW를 on-off해 가면서 Volatage 값을 확인
00000000
-0.010V
00000001
0.00
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회로의 결선상태도 점검하여 보았다. 그리고 우리조에 고학번 선배가 계셔서 빵판에 대한 설명도 자세히 들을 수 있었고 빵판에 회로를 제작할 때도 큰 어려움이 없었다. 기초전자물리학실험2
결과보고서 (실험1)
1. 실험 장비 및 도
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차이가 없다는 것을 알 수 있다. 이는 내부 저항값 가 매우 작아서 전압강하가 에서 거의 모두 일어난다는 것을 알 수 있다. 1. 기초 실험용 계측장비 사용법
1. 목적
2. 이론
3. 사용부품 및 장비
4. 실험방법
5. 예비보고서
6. 결과보고서
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회로를 비교하면 저항이 클수록, 커패시터의 용량이 클수록 리플의 크기는 작아짐을 알 수 있었다. 시정수 에서 시정수가 클수록 방전이 느리므로 리플의 크기가 커짐을 알 수 있었다.
2) 변압기의 교류 출력 전압이 0V, 6V, 12V 일 때 실험 방법 4
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