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결과 보고서
실험 제목: 다이오드의 전압 전류 특성
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험회로 1 : PN접합 다이오드의 전압전류 특성
① -50V ~ 50V, 간격(Increment) 0.5V
- 실험 결과 그래프 및 표 :
예비실험 데이터 / 실제실험값
■ 실험회로 1-1: ②
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정류회로를 Spice로 구성하고 입력 주기함수가 8V, 60Hz에 대해 DC 출력 전압을 구하시오. 예상한 결과를 얻는지 검토하시오.
=>
시뮬레이션의 결과 로,
약 1.1V의 오차가 발생하였다. 1. 실험 목적
2. 이론
3. 실험기기 및 부품
4. 예비실험
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없음
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180°
⇒ 입력과 출력을 먼저 살펴보면 앞에서 공통소스증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순
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가변저항양단의 걸리는 전압의 합을 나타내는 값과 비교해 보면 약간의 차이가 남을 확인 할 수 있었다. 예를 들어 자세히 설명하면 실험 1에서 채널 1의 파형은 인가전압의 파형이므로 언제나 같음을 알 수 있다. 또한 채널 2에서는 이 회로가
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는데, 이것은 하나의 트랜지스터가 동작하는 것을 보면 전체 회로가 공통 컬렉터 증폭기와 같이 되고 그 성격과 같이 입력신호와 출력신호와의 위상차가 없는 것이 된다고 생각해 보았다.
실험 18장에 대한 복습문제
1. 그림 18-3에 보인 바와
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컬렉터-이미터전압에 다 걸리는 것을 알 수 있다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
< 데이터-컬렉터귀환 바이어스 >
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 12장에 대한 복습문제
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0V이다. 그리고 게이트-소스간 음전압의 크기는 1.265V인 반면 VGS(off)는 2.1V로 게이트-소스간 음전압의 크기가 VGS(off)에 비해서 작다.
2. 그림 21-1의 자기바이어스 회로에서 IDSS=10mA이고 gm0=5000㎲이면, 소스전류는 대략 얼마인가?
(a) 1mA(b) 2mA(c) 5mA(d
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10V
⇒ 위의 실험에서 제너 다이의오의 변곡점이 6.2V임을 알 수있었고, 답은 그러므로 약6V의 값이 맞다고 할 수 있겠다.
2. 다이오드 특성곡선의 어느 부분에서 제너다이오드는 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드 전압이 제너전압보다 작을
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되는 것이다. 트랜지스터 접합을 시험하는 법
1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 8장에 대한 복습문제
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