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공통소스증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은
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전자회로실험I 결과보고서실험 11. MOSFET CS, CG, CD 증폭기
목차
1. 실험결과
2. 실험결과 및 고찰
3. 비고 및 고찰
1. 실험결과
이번 실험에서는 MOSFET을 이용하여 공통 소스(Common Source, CS), 공통 게이트(Common Gate, CG), 공통 드레인(Commo
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소스는 공통으로 연결되었고, 드레인은 각각의 출력단으로 나뉘어져 있다. 입력은 두 개의 서로 다른 신호를 MOSFET의 게이트에 공급하는 방식으로 이루어졌다. 이렇게 구성된 회로에서 차동 1. 실험
1) 전류 거울
2) 차동 증폭기
2. 비고 및
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소스(Source), 배수기(Drain) 1. 관련 이론
(1) 접합 전계 효과 트랜지스터 JFET
(2) 공통 소스(CS) JFET 증폭기
(3) 공통 드레인(CD) JFET 증폭기
2. 공통 소스(CS) JFET 증폭기
(1) PSpice 시뮬레이션 과정
(2) PSpice 시뮬레이션 결과
(3) 실제 실험 과정 및
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회로에서 부하저항 RL 증가하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 에 의해 분자의 값이 증가함으로 전압이득은 증가한다.
5. 그림 22-1의 공통소스 증폭기의 동작은 바이폴라 트랜지스터의 어느 것과
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