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컬렉터-이미터전압에 다 걸리는 것을 알 수 있다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
< 데이터-컬렉터귀환 바이어스 >
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 12장에 대한 복습문제
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결과 캐패시터값을 크게 증가함으로써 생기는 단점도 몇가지 있었는데, 캐패시터의 값이 커지는 만큼 충전주기(T)도 증가하게 됨으로써 실험을 하는데 어려움이 생기고, 또 다른 점으로는 처음으로 회로에 전압을 인가할 경우 Short상태인 캐
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실험에서 제너 다이의오의 변곡점이 6.2V임을 알 수있었고, 답은 그러므로 약6V의 값이 맞다고 할 수 있겠다.
2. 다이오드 특성곡선의 어느 부분에서 제너다이오드는 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드 전압이 제너전압보다 작을 때
(b) 다이
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되는 것이다. 트랜지스터 접합을 시험하는 법
1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 8장에 대한 복습문제
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결과적으로 Av값이 증가하게 된다.
4. 그림 16-1의 회로에서 VE는 대략 얼마인가?
(a) -9V (b) 0V (c) -0.7V (d) +0.7V
⇒ 회로에서 이미터전압(VE)값은 VB-0.7V로 구할 수 있으므로 다음과 같은 식이 성립된다.
VE=VB-0.7V=0V-0.7V=-0.7V
5. 다음 중 공통베이스 증폭
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왜 필요한지, 전원공급기의 양 채널에 걸려 있을때와 빼줄 때의 차이를 잘 모르겠다. 또, 개인적인 질문이지만 PSpice프로그램에서 간단한 회로설계에 있어서도 접지를 붙여야만 시뮬레이션이 돌아가는데 이는 왜 그런것일까? 목차 없음...
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회로이론 시간때에는 그 사실을 계산으로 증명하였기 때문에 쉽지 않았고 시간도 오래걸렸다. 물론 계산에서 실수도 있었고 그 때문에 제대로 중첩의 원리를 이해하기 힘들었다. 조금 더 공부를 해서 저번에 들었던 기초회로 실험의 프로젝
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기초전자회로, 정용성 저, 도서출판정일, 2005
전자회로의 기초, 강중순 김상진 안기형 이재곤 공저, 북스힐, 2002
전자회로, 정민수 외 6명 공저, 복두출판사, 2006 1.실험 목적
2. 질문
1) Bipolar Junction Transistor
2) BJT 증폭기 회로 해석을 위
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회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 의 공식을 확인해 보면 gm의 증가에 따라 전압이득은 증가함을 확인할 수 있다.
4. 그림 23-1의 회로에서 부하저항 RL
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가변저항양단의 걸리는 전압의 합을 나타내는 값과 비교해 보면 약간의 차이가 남을 확인 할 수 있었다. 예를 들어 자세히 설명하면 실험 1에서 채널 1의 파형은 인가전압의 파형이므로 언제나 같음을 알 수 있다. 또한 채널 2에서는 이 회로가
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