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편, 무기공업화학,(청문각), p215~225
http://www.semipark.co.kr/images/
http://home.megapass.co.kr/~snareeyes/frame_1.htm
http://www.kdns.co.kr/
http://www.lgphilips-lcd.com:8888/Korean/tech/d2_1.html 실험제목
실험목적
실험내용
실험절차
실험이론
참고자료
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이용해 다시 중진공 상태로 만든다. 그 후 CRYO펌프를 이용해 고진공 상태로 내린다.
⑨pre sputtering - 챔버내의 온도를 200℃로 1.실험목적
2.기초이론 및 원리
3.준비 기구 및 장치
4.실험과정
5.실험결과
6.토의 및 고찰
7.인용 및 참고문헌
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물리화학실험, 이문득, 자유 아카데미, p189~194 / p287~290
기기분석화학, 이문득, 자유 아카데미, 1997, p147~189
http://www.chemexper.com
http://chemistory.tistory.com
http://www.kosha.net/index.jsp (MSDS)
http://mslab.polymer.pusan.ac.kr/sub4/index.html (고분자 정보)
http://blog.daum.n
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고체물리학 / Charles Kittel / 우종천외 옮김 / 1997 / 범한서적
X선 과학과 응용 / 구양모, 신수남 / 2000 / 도서출판 아진
http://www.leybold-didactic.de/phk/a.asp?a=554811&L=2 실험제목: X-선 회절에 의한 결정구조 분석
실험목적
이론
1. X선의 발견
2. X
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증착방법에서 증발원으로 방출된
분자들이 기판 위에 증착되는 증착률은 source의 기하학적인 요소, source와 기판과
의 상대적인 위치, 응축 계수(condensation coefficient)등에 의존하므로 진공증착 박
막실험시 세심한 주의와 관찰을 필요로 한다.
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증착방법에서 증발원으로 방출된
분자들이 기판 위에 증착되는 증착률은 source의 기하학적인 요소, source와 기판과
의 상대적인 위치, 응축 계수(condensation coefficient)등에 의존하므로 진공증착 박
막실험시 세심한 주의와 관찰을 필요로 한다.
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Sputtering의 원리 및 특징
2. 자기저항의 분류
3. 강자성(ferromagnetic) 박막에서의 비등방 자기저항(AMR) 효과의 현상론적 이론
4. 광 자 기 효 과
Ⅲ. 실 험 방 법
1. 박막의 제작
2. XRD에 의한 박막의 두께 측정
3. VSM에 의한 자기적 성질 조사
4.
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이유???
< 스퍼터링을 이용한 투명전극 제조 및 그리드 형성 >
< CIGS 박막태양전지의 I-V, 효율 측정 및 소자파라메터 추출 >
Problem 1) 주어진 값을 그래프로 나타내고, 각 영역이 의미를 나타내시오.
Problem 2) FF, 효율값을 검산하시오.
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실험방법 :
① ITO 기판의 Cleaning(전처리)
② Spin coater위에 기판을 올려놓고 진공을 잡아 고정시킨 후, photo resister를
뿌려 전면에 고르게 코팅
③ PR coating 후 잔류용매를 제거하고 기판과의 접착력을 높히기 위하여
soft baking(100℃, 10분) 실시
④
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증착방법에 따른 증착률에서, sputtering증착시에 가장 적은 증착률을 나타낸 것으로보아, 진공증착이나 이온증착으로 시간에 따른 두께변화를 실험했다면, 더욱 높은 박막증착효과를 얻을 수 있을 것이다.
또한 XRD분석결과 우리가 실험한 Au의
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