|
실험을 통하여 확실히 한가지를 얻어 가는것 같아 흡족스럽다.
실험 E 의 경우, 커패시터 양단의 전압과 전류의 관계, 그리고 전력파형을 이론과 비교하며 직접 한번 볼 수 있어서 좋았다.
(소감) 지금까지 했던 기초물리학실험을 통틀어 가장
|
|
|
기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture
/기초실험3/chap5/5_3.htm
http://clapton73.hihome.com/hpage/전기공학/트랜지스터/트랜지스터.html 1.트랜지스터의 정의
2. PNP형
|
|
|
기초실험 : 최승헌 외 3명 공저 : 복두출판사
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자
2. 실험제목
3. 실험목적
4. 실험준비물
5. 실험절차
A. 클리퍼와 클램
|
|
|
기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
실험 목적
기초
|
|
|
실험 기기 등 명시
1) 『전자회로(Electronic Circuits)』, 김희준 저, SciTech
2) 『Principles of Electric Machines and Power Electronics』, P.C. Sen 저, Wiley
3) 『(그림으로 알 수 있는) 모터의 구조』, 티니코시 킨지 저, 현영창 역, 세화
4) 『전지의 기초 』, 서촌소
|
|
|
⑤ PSW(Program Status Word)
⑥ Program Counter(PC)
⑦ 그 외의 CPU 레지스터
메모리 구조
프로그램 메모리
데이터 메모리
8051동작을 위한 회로연결
8051의 인터페이스
발진회로
리셋회로
외부 메모리 인터페이스
C언어의 기본적인 사항들
|
|
|
, 어느 경로를 택하더라도 강하되는 전압은 마디 a와 b사이에 걸리는 전압 로 같다. 따라서
이고, 옴의 법칙으로부터 이다. 1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진행 및 예상 결과
1. Kirchhoff의 전류법칙
5. 예비보고서
|
|
|
기초
② 실험 기술
(3) 이온을 이용하는 방법과 음극 스퍼터링
① 2극 스퍼터링의 원리
② 음극 스퍼터링의 몇 가지 특수한 장치
③ 저압 음극 스퍼터링
④ 이온 프레이팅과 이온빔을 이용한 방법
5) 막의 두께 측정방법
6) 향후의 전망
|
|
|
다.
<그림 1-20.1 PLD 기본원리>
◎ 참고문헌 : 반도체 제조장치 입문, 전전 화부, 성안당
집적회로 설계를 위한 반도체 소자 및 공정, 정항근, 홍릉과학
실리콘 공정기술 입문, 김종성, 동영 출판사
박막공학의 기초, 최시영, 일진사 없음
|
|
|
회로를 몇 번이나 다시 만들었다. 그래도 같은 상황이 반복되어 확인해보니 장비문제였다. 다음 실험 때는 장비 문제없이 바로 실험결과를 얻을 수 있으면 좋겠다. 힘들당 ㅠ.ㅠ 7.1 목적
7.2 해설
7.3 예비문제
7.5 실험 내용
7.5 실험분석
|
|
메뉴펼치기
