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http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
실험 목적
기초 이론
실험 방법
시뮬레이션 결과
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emitter)로 표시되는 에미터에서는 총 전류가 흐르게 되고 얇은 막으로 된 베이스(B; base)가 전류흐름을 제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다.
VOM : Volt Ohm Meter 직류 및 교류 전압(Volt)과 저항(Ohm, 옴) 값을 기본적으로 측정하는
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곡선을 이용하라.
b. 실리콘 다이오드에 대해 식 rac = 26mV / ID(mA) 을 이용하여 ID = 9mA에서 ac resistance를 결정하라.
c. 실리콘 다이오드에 대해 ID = 2mA에서 a와 b단계를 반복하고 결과를 비교하라.
Part 6. Firing Potential
a. 각각의 다이오드 특성으로부
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Diode)
금속과 반도체 사이의 접합면에 전위장벽을 형성하므로 스위칭 속도는 오직 접합 용량에만 기인한다. 상대적으로 낮은 전압에서 도통하지만 누설전류가 크므로 고전류 저전압 전원에 이상적으로 상용된다. 다이오드 예비보고서
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다이오드와의 차이점을 확실히 실험을 통하여 확인하게 되어서 기분이 좋았습니다. 실험은 실패 없이 알고 있는 지식과 같은 값이 나왔습니다. 기회가 된다면 제너다이오드에 대해서 더 공부해 보고 싶습니다. (1)예비보고서
1.제목
2.목
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