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결핍층
4. 전위장벽, 바이어스
5. 순방향 바이어스
6. 역방향 바이어스
7. 다이오드 방정식
8. 다이오드 등가회로
9. 정류
10. 반파 정류기
11. 전파 정류기
12. 브리지 정류기
13. 정류필터
14. 맥동률
실험 방법
회로도
시뮬레이션 결과
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기초로 한 실험이었다고도 할 수 있다. 바로 키르히호프 제 2법칙에서 V=IR 과 에너지 보존 법칙을 다시 한 번 이해할 수 있었다.
◇ 검토
이번 실험은 키르히호프의 제 1, 2 법칙 즉, 전류의 법칙과 전압의 법칙에 대한 실험이었다. 예비 레포트
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기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드의 용
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미지의 캐패시터의 캐패시턴스를 측정 할 수 있다.
※ 가 성립하는 이유는
이 식이 만족하므로
이를 정리하면 가되고
다시 정리하면 가 된다. 따라서
가 성립한다. 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 기초 이론
4. 실험 방법
5. Simulation
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. 래치에 디코더 및 드라이버 기능을 가지는 논리소자를 사용하는 경우에는 각 표시문제에 대응되는 입력데이터가 4비트로 보다 간단하게 처리된다.
이 표시 방식은 CPI가 각 가지 1. 실험 목적
2. 실험도구
3. 실험 이론
4. 소스 분석
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실험결과
1. 전압원과 전류원의 부하효과
1)전압원
2)전류원
3)오차원인
2. 스코프의 기본동작 및 스코프의 입력저항, 입력 캐퍼시턴스의 영향
1) 스코프의 기본 동작
2) 스코프의 입력 저항과 입력 캐패시턴스의 영향
3) RC회로와 시정수
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(8) 함수 발생기에 의해 제공된 가장 보편적인 파형은 사인파, 사각파 그리고 톱니파이다.
5.참고문헌
*신회로이론
-박송배 문전당
*기초 전자공학의 실험
-황형준,김동탁,강찬희 공저 학문당 1993.3.10 함수 발생기 입니다.
목차 없음...
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회로도를 너무 복잡하게 그려놓아서 발생한 문제점들이다. 앞으로의 실험에서는 최대한 까끔하고 보기 쉽게 회로도를 그려야 겠다. 1. 실험목표
2. 기초이론
□ 반가산기
□ 전가산기
□ BCD 덧셈기
□ BCD 4bit 덧셈기/뺄셈기
3. 실험
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실험 환경 을 최적화하고 기기를 세팅하고 측정하는데 좀 더 신중히 임해야 할 것이다.
5.개별고찰
-압력측정실험에 비하면 무척 어려운 실험이었다. 장비들도 모두 생소했으며 용어들도 모두 처음 접하는 생소한 것들이었다. 예비보고서를
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실험을 끝내고 리포트를 쓰는 와중에서 여러 응용분야에서 넓게 사용되는 브리지회로를 직접 인터넷으로 찾아 봄으로써 어떤어떤 브리지들이 있는지 확인할수 있었고 인지할수 있다는 것이 뜻이 깊다. 확실한 것은 이런 브릿지들은 고장 원
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