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알 수 있다. 그러나 저항의 크기가 두 배가 되면 전류는 반으로 작아진다. 저항이 클수록 작은 전류가 흐른다. 근소한 오차가 있지만 옴의 법칙이 성립한다는 것을 알 수 있었다. 실험목적
이론
실험방법
실험결과
고찰 및 느낀점
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회로의 주파수는 다음 식으로부터 계산되어 진다.
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- 실험 결과 -
1) 위상변위 발진기
a. RF = ①470 kΩ, ②1MΩ, ③
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⑥ 새로운 에 흐르는 전류과 위상차를 측정. 총전류란에 결과 기록.
⑦ 측정한 과 를 식에 대임하여 를 계산.
⑧ 전압 와 전류 를 오옴의 법칙에 대입하여 임피던스를 구함. 이론
실험과정
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실험치의 차이가 나게 측정이 되었는데, 실험 도중 발생하는 실험 도구가 아주 이상적인 도구를 사용(아주 정확한 측정기기와 저항이 없는 회로)하였다고 하면 이론치와 같게 측정되었을 것임.
소감
회로 구성 방법을 배울 수 있었음.
전압분
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회로의 는 회로에서 계산된 값과 같은 저항을 연결해야 하는데 이 때 회로에서 계산된 저항과 정확히 맞는 것이 없었음.
전류가 흐르면서 생기는 저항에 의한 열손실.
측정 장치 내부의 저항에 의한 오차 발생.
실험시 실험장치 사이의 접점
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따라서, 이론상의 내용과 실험적 오차가 발생함.
소감
Capacitor와 저항이 직렬로 연결된 회로에서 시간별로 감소하는 전압을 측정하는 실험.
기기사용에 익숙하지 않아 실험이 조금 어려웠음. 결과값
계산과정
그래프
오차원인
토의
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위상차 확인
위와 같은 회로로 구성
저항과 인덕터로 구성된 회로에서 위상차는 저항과 인덕터의 리액턴스크기에 결정됨.
오실로스코프로 관측
저항 전압과 인덕터 전압은 만큼 위상차를 가짐. 실험사진 (오실로스코프 확인)
실험결과
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사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위 1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
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회로>
<DC sweep 해석 결과>
<diode 해석을 위한 회로>
<diode i-v 특성>
<트랜지스터 해석을 위한 회로>
<트랜지스터의 전기적 특성>
<secondary sweep 대신 parametric sweep을 이용한 트랜지스터 특성그래프>
실습2. parametric 해석
&l
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펄스의 고주파영역에서 급변하는 영역에서 통과가 억제 되고, DC에서 통과하고 캐패시터는 인덕터의 반대의 경우가 보이다.
12-2 저항 분할회로
저항 값을 1K, 10K, 100K로 입력을 변환하면서 그 출력 값의 변화를 보는 것이다. 그리고 위의 그래프
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