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1. 실험 개요
- [실험11]과 [실험 12]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기와 소오스 팔로워를 실험하였다. 이번에는 나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트
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실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 1.실험개요
2. 실험 기자재 및 부품
3. 배경 이론
4. 실험 절자 및 Pspice simulation
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1. 실험 개요
- 트랜지스터를 이용한 능동 부하의 경우 저항 부하에 비해서 공정에 대한 변화량이 적고, 정확한 저항을 위한 추가 비용이 들지 않는다는 장점이 있다. 이 실험에서는 능동 부하를 사용한 차동 증폭기(differential amplifier)를 구성
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실험기기 및 부품
(1) BJT CA3046(1개)
(2) 저항 100(1개), 1k(1개), 100k(1개)
(3) 직류 전원공급기 1대
(4) 오실로스코프 1대
4. 예비실험
(1) <그림 2.6>과 같이 회로를 구성해서 PSPICE 시뮬레이션을 수행하여 log()and log() vs (Gummel plot), -log(), - 그래프를 구
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회로에 대해서 예비실험 1), 2) 3)을 반복하시오. =0.5mA가 되게 VBB를 조절한다. Transient 시뮬레이션 시에는 출력 전압이 포화가 되어 왜곡이 생기지 않도록 입력 신호의 진폭을 낮춘다.
=> =0.5mA가 되는 VBB 값은 약 2.1673V입니다.
=> Transient 해석
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이득은 약 0.9664가 나왔습니다.
이 값들은 CC버퍼 증폭기의 전압이득인 2.5688보다 작은 값들로, CC버퍼 증폭기가 작동하여 소신호 이득이 증가하는 것을 확인할 수 있습니다. 1. 실험 목적
2. 설계
3. 이론
4. 실험 기기 및 부품
5. 예비 실험
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실험에서 함수발생기를 쓰지 않고 윈 브리지 회로의 기능을 통해 정현파를 만들어 내는 것을 확인할 수 있었습니다. 윈 브리지 회로의 비교기와 적분기부분을 지나는 부분의 출력파형을 오실로스코프로 확인하였을 때 그 결과 값이 정현파,
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실험 (2) <그림 20.3 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색
실험 (3) <그림 20. 4 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색
실험 (3) <그림 20. 4 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색
실험 (4) <그림 20. 5 (a)>
Vg: 붉은색 VR: 초록색 목 적
⑴ 회로의 주파수 응답
⑵ 저역통과
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실험순서
1) 그림 1-4(b)의 회로를 결선하라.1kΩ저항 양단의 전압값이 표1-1과 같이 되도록 직류전원 공급장치를 조절하라.각각의 전압에서 다이오드 양단의 직류 전압강하 를 측정하여 기록하라.다이오드의 전류는 1kΩ의 저항을 통하여 흐른
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, 트랜지스터의 VBE = 0.7V 이다) 1. 목적
2.예비지식
a. 대신호 동작
b, 소신호 동작
c. 정전류 전원
3. 준비
3.1 대신호 동작
3.2소신호 동작
4. 기기 및 부품
5. 실험
5.1 대신호 동작
5.2소신호 동작
6. Pspice 실험결과
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