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다.
즉, 1×4 디먹스가 두 개 가 연달아 붙어있는 것이다. 그리고 특징적인 것은 입력단인 G값에 LOW가 입력되어야만 Eable한 상태가 되며, 출력단도 역시 ACTIVE LOW 로서 동작한다. 칩의 구조는 절반으로 잘라서 생각했을 때 왼쪽(1~7번핀)이 하나의 1
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IR1 = (24V - 10V) / 49㎃ = 244Ω
따라서 최소 저항값은 244Ω이고 최대 전류는 49㎃이다. 목차
Ⅰ. 실험결과(제너 다이오드 로우딩)
A. 제너 다이오드에 부하저항을 연결한 경우
B. 부하저항을 변화시키는 경우
Ⅱ. 검토사항
Ⅲ. 연습문제
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1. 실험목적
트랜지스터의 NPN형과 PNP형에 대해서 관찰하고 실험 할 수 있도록 한다.
2. 실험기구
저항계, NPN 트랜지스터, PNP 트랜지스터
3. 실험이론
- 반도체 트랜지스터(Transistor)가 작동하기 위해서 순서를 따라 진행한다. NPN 의 동작 순
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실험 5. 오실로스코프
4. 실험절차
4.1 오실로스코프 작동방법(초기 조정)
여기서는 처음 오실로스코프를 사용할 때 파형을 화면에 잘 나타나게 하는 방법을 순서대로 기술하였다. 이 순서를 따라가면서 사용방법을 익히도록 한다. 각 순서
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6장 오실로스코프와 함수발생기의 사용법
4. 실험내용 및 절차
◎ 실험을 시작하기 전에 실험 5의 순서에 따라 오실로스코프를 초기조정 할 것
4.1 오실로스코프와 FG의 전원플러그를 꼽은 벽면 또는 실험대의 110V, 220V 소켓에 접지단자가 있
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형발생기)에 연결하여 5Vpp, 2KHz의 삼각파가 표시되도록 하고, 채널 2는 PROBE COMP에 연결해서 [그림 7-8]처럼 MEASURE 설정을 조정하여 사진과 같은 결과를 얻을 수 있었다.
3. 나의 고찰
이번 실험은 오실로스코프와 파형발생기(함수발생기)의 조작
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실험을 통해 분류기와 배율기를 사용하여 전류와 전압의 측정범위를 넓히는 원리 및 방법을 이해할 수 있었다. 분류기는 전류계에 병렬로 접속시켜서 전류의 측정범위를 넓히는데 사용할 수 있는 저항을 말한다. 또한 배율기는 전압계에 직
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과 RL을 이용하여 PL값을 계산하였다. 예상대로 대략 RC = RL 일 때 가장 큰 전력수치가 나왔다. 그리고 이 때 저항 크기가 같으므로 각 저항에 전송되는 전력도 같아야 한다. 즉 PL은 전체 전력 PPS의 절반이 되어야 하는 것이다. 약간의 오차가 있
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도 있고. ctrl+R 단축키를 사용하여도 됨
그리고 숫자를 더블클릭하여 숫자를 바꾼다.
접지를 만들어준다. GND 둘중에 아무거나 선택 가능
저장할때는 폴더 및 파일의 이름이 영어로 되어 있어야 함 한글 지원 안됨
저장을 하고 나면 simulate를 누
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회로도
입력 A와 B를 선택하여 사용할 수 있게 하는 회로도
● 모의실험
XOR 게이트
XOR게이트의 모의실험결과
XNOR게이트의 모의실험결과
■ 후 기
이번 예비보고서는 여느 보고서와는 달리 직접 Proteus로 모의실험을 해 보았다. 먼저 XOR게이트에
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