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전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
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단방향적 특성을 가지므로 양방향 전류를 단방향 전류로 변환하는 정류(Rectification) 작용에
다이오드가 응용된다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실험방법 및 유의사항 4
참고문헌 5
(별지) 측정 Datasheet 5
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주어진 조건에 맞춰 자기 바이어스의 저항과 전압의 값을 결정하고 실제 회로를 구성하여 드레인-소스 전압과 드레인 전류의 값을 비교하여 본다. 요약문 1
실험내용 1
실험결과 2
문제점 및 애로사항 4
설계프로젝트 진행사항 4
결론 4
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다양한 기본적인 연산증폭기를 알아보고 실험을 통해 전압을 측정하여 각각의 증폭기 회로를 해석하는 것이 이번 실험의 목적 요약문 1
실험내용 1
실험결과 3
문제점 및 애로사항 5
설계프로젝트 진행사항 5
결론 5
(별지) 측정 Datasheet
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클램핑 회로가 파형에 어떠한 영향을 주는지 다이오드와 저항, 커패시터 그리고 건전지를 이용한 회로를 만들어 커패시터에 걸리는 전압과 출력 전압의 측정을 통해 확인 요약문 1
실험내용 1
실험결과 5
문제점 및 애로사항 8
설계프로
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각각의 고장이 회로에 어떠한 영향을 끼칠지 설명해 보라(어떤 고장은 아무 영향을 끼치지 않을 수도 있다). 예측에 자신이 없다면 모의 고장을 발생시켜 결과를 테스트해 보자. ○ 실험 목표
○ 사용 부품
○ 관련 이론
○ 실험 순서
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회로를 구성한 후 저항기 측정 실험에서는 미지의 저항값의 측정 범위를 조작할 수 있는 실험이다. 이것은 라는 식에서부터 과 의 비율을 달리함으로써 조절할 수 있다.
즉, 미지의 저항의 측정범위가 30㏀이므로 의 값을 1㏀으로 하고 의 값을
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D1
비고 및 고찰
실험 1은 ROM을 논리소자들을 이용하여 만들어 보는 실험이었습니다. 실험 1의 회로는 SW1~4에 따라서 저장되어 있는 데이터가 출력되는 회로입니다. 이 실험은 스위치를 동작시키지 않은 상태에서의 기본 값은 입력된 값인 A~H에
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결과, 실험 (2)와 실험 (3) 모두 위상차 값은 90이고, 역률은 0이 되는 것을 확인할 수 있었습니다.
실험에서 무시할 수 있을 정도의 작은 오차가 발생했는데, 이 오차의 원인은 회로의 임피던스가 증가하고, Z에서 소모되는 전력이 증가하게 되었
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실험은 회로에서 주파수, 인덕터, 캐패시터의 값을 변화 시켜가며 파형의 변화를 관찰하는 시간이었습니다. 그 결과로 인덕터는 회로에서 전압을 지연시키고, 커패시터는 회로에서의 전압이 앞서게 되게 하고, 저항은 주파수에 영향을 받지
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