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실험 결과
(1)R1, R2 = 2k , RL = 3.3k
A쪽으로 회로 연결시의 IL :
Rn :
⑵ Rn = 1k , RL = 3.3k
IN IR
4. 결과 및 토의
노튼도 테브난과 유사한 특징을 가지고 있고 장점도 유사하다. 그렇다면 노튼과
테브난은 어떤 차이가 있을까? 테브난 정리와 노턴의
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Part 2 Parallel R-C dc Network >
< Part 3 Series Parallel R-C dc Network >
< Part 4 Determining C (Actual Value) >
< Part 5 Charging Network (Parallel Capacitors) >
< Part 6 Charging Network (Series Capacitors) >
< Part 7 Applying Thevenin's Theorem >
< EXERCISES >
< 실험에 대
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회로의 해석에 있어서 Thevenin 등가전압과 등가저항의 값을 실험적으로 관찰한다. Norton 등가전류와 등가저항의 값을 실험적으로 관찰한다.
2. 이 론
회로망에서 어느 한 부분에 대해서만 전압과 전류에 관심이 있는 경우 테브닌의 정리와 노턴
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회로를 살펴보면 I1은 I2에 I3를 합한 값이어야 한다. 그러나 multimeter의 내부저 항 rm 때문에 결과가 달라질 것이다. 측정할 수 있는 최대 전류를 20mA로 multimeter를 설정해 놓고 위 실험을 반복하라
3. 등가회로
목적 : 등가회로에서의 테브닌 /노튼
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Norton 저항을 구해서 기록하라.
(2) 측정된 Norton전류와 Norton 저항을 구해서 기록하라
(3) 등가회로를 그려볼 것
(4) R3를 부하로 보았을 때 위의 과정 (1)(2)(3)을 반복해 볼 것
5. 출처
기초회로실험 : 원리와 응용(사이텍미디어) 없음
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실험목적
Ⅱ. 테브난 등가회로 실험
(1) PSpice 모의실험
(2) 실험 도구 및 장비
(3) 실습 및 결과
(4) 분석 및 고찰
Ⅲ. 노턴 등가회로 실험
(1) PSpice 모의실험
(2) 실험 도구 및 장비
(3) 실습 및 결과
(4) 분석 및 고찰
Ⅳ. 최대 전
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회로를 구성하고 R1 R2 V1 V2를 표 8-3에 지사한 대로 바꾸어 ab양단의 전압
{V}_{ab}
를 측정하여 기록하라.
그림 8-8
출처: 두산세계대백과 EnCyber
전기용어 대사전, 전기 기술 문화사, 김만영, 1979. 8. 25.
전기 전자 공학도를 위한 기초회로실험, 이능
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회로를 구성하라. 저항 R1=R2=300[Ω], R3=150[Ω]을 각각 연결하라.
②부하저항 =330[Ω]을 연결하고, 직류전원 V1=12[V]를 인가하라.
③에 걸린 전압 을 측정하여 표에 기록하라.
④에 흐르는 전류 을 측정하여 표에 기록하라.
⑤실험회로에 대한 노턴
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였다. 그리고 RL을 바꾸어 가면서 총 세 번의 실험을 했다. 이번엔 RL을 단락시키고 그 branch에 흐르는 전류(IN)를 측정하였다. 또 전압원까지 단락시킨 후 등가 저항을 측정했다. 마지막으로 노턴 등가회로 칸에는 측정치를 이용하여 IL을 계산한
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실험 25. 테브닌 정리
실험 26. 노튼의 정리
실험 31. 오실로스코우프 동작
실험 33. 오실로스코우프를 이용한 전압 및 주파수 측정
분반 :
성명 :
학번 :
실험일:
실험 25. 테브닌 정리
1. 실험 목적
(1) 단일 전압원을 갖는 직류회로의 테브닌 등
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