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실험에서는 RC직렬회로를 구성하여 LPF를 제작하였다. 회로내의 모든 저항값을 합친 실제 R값(저항소자(1120Ω)+FG내부저항(50Ω))은 1170Ω이었고, 실제 커패시터의 값은 11.6nF이었다. 커패시터전압 파형의 크기를 측정한 결과 0.86V로 이론치 0.84V와의
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회로도와 같이 회로를 구성하고 CH2의 COUPLING을 INVERT[=(-1)]로 한 다음 두 파형을 ADD한다. CH1과 CH2의 VOLTS/DIV를 같게 조정하고 0V의 위치도 일치하도록 조정한다.
CH1, CH2
CH1-CH2
3.6 FG의 접지와 scope의 접지 사이의 저항
실험실 내 콘센트의 접지는 하
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회로에서 공식 을 이용하여 계산한 후 인 것을 이용하여 실험의 응답을 확인할 수 있었습니다.
실험 (1)은 이므로, 부족제동응답 실험 (2)는 이므로, 임계제동응답, 실험 (3)은 이므로 과제동응답임을 확인할 수 있습니다. 실험
설계 및 고찰
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회로의 설계 규칙을 설명하라.
- 우선 활성 상태가 되기 위하여 를 0.7V가 되도록 하는 것에 유의한다. 값을 측정하고 =+0.7V가 되도록 를 , 로 분배한다.
4. 사용기기 및 부품
2N2222 또는 2N3904, , , 1㏀, 1.3㏀, 3.3㏀, 10㏀, 15㏀, 47㏀, 100㏀
5. 실험 내용
(
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설계한 C 입력형 필터와 Simulation의 결과 그래프
▣ 참고문헌
①전자회로기초및응용, 상학당, 남상엽 외2명, 06년7월1일, 271p~273p
②전자통신기초실험, 상학당, 전자통신연구회, 06년8월25일, 165p~173p
③전자회로실험, 청문각, 김경태 외1명, 03년1월1
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실험실의 여러 잠재적요소, 실험자의 장비 사용미숙으로 인한 측정실수 등 여러 가지가 있을 것입니다. 첫 실험이니 만큼 이러한 요소들을 잘 다듬어서 다음 실험부터는 오차를 줄이기 위해 노력해야 할 것입니다. 4. 설계실습내용 및 분
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실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에 관한 실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사
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회로에 대한 이해도 할 수 있었다. 회로를 보면 알 수 있듯 m-level 인버터는 m-1개의 캐패시터를 갖기 때문에 우리는 3-level 인버터로 2개의 캐패시터를 가지고 있다. 지난 주에 진행한 내용과 조금 달랐던 부분도 있었다. 첫 실험에서는 임의의
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로직을 가지는 트랜지스터이다.
⇒ TTL 이 74시리즈로 유명한것처럼 CMOS역시 400 시리즈로 유명하며, TTL못지않은 제품군을 형성하고 있다.
⇒ CMOS 의 특징을 나열하면 다음과 같다.
- 소비 전력이 매우 작다.
- 전달 특성이 우수하다.
- 잡음 여유
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디지틀 설계 주식회사 캘라 John. F Wakerly . 신재호 김도현.
3. Didital Logic Application And Design, Yarbrough ○ 10진-BCD 인코더
○ 10진수를 BCD코드로 바꾸는 이유
○ 74147 (10진-BCD 부호 변환기)
○ 코드의 종류
○ 각 코드의 비교
실험계획
Reference
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