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4~12장까지의 실험
(1) Figure 3.5의 Y2 논리식, 회로도, 사진, 진리표.
논리식 = B\' ∙ ( A⊕ C ) + ( ( A ⊕ C ) ⊕ D ) ∙ B
2. Figure 3.5의 Y2의 little m notation.
F = ∑m(2,3,5,6,8,9,12,15)
3. Karnaugh map과 minimize논리식
4. Minimize된 회로
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회로는 마음대로 동작을 하게 된 것이다. 아마도 TTL논리레벨을 제대로 맞춰주지 못해서 에러가 나는 것 같은데 정확한 이유는 모르겠다.
이번 실험에서 힘들었던 점은 분명히 내가 생각하기에는 제대로된 회로를 구성 하였다고 생각을 하고
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회로를 결선하라.
2) 표 1의 결과가 나오는지 확인하라.
3) 논리연산회로를 결선하라.
4) 표 2의 결과가 나오는지를 확인하라.
5) ALU회로를 결선하라.
6) 표 3의 결과가 나오는지를 한 기능씩 확인하라. ■ 실험제목 : 산술논리연산장치
■ 관
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: 74LS74
J-K : 74LS73, 74LS76, 74LS78, 74LS109, 74LS114 1. 실험목적
2. 관련이론
․ 기본 RS 플립플롭
․ RS 플립플롭
․ PR/CLR RS 플립플롭
․ D 플립플롭
․ T 플립플롭
․ 주종 플립플롭
․ JK 플립플롭
3. 예비보고서
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실험 목적
2. 관련 이론
가. 논리연산
(1) AND연산
(2) OR연산
(3) NOT연산
나. 논리 게이트
(1). AND 게이트(논리곱)
(2). OR 게이트(논리합)
(3). NOT 게이트(논리 부정)
(4). NAND 게이트
(6). EXCLUSIVE-OR 게이트
자. 드모
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실험 과정 및 결과를 통해 부울대수(Boolean Algebra)와 드모르간의 법칙(De Morgan’s laws) 이론을 살펴 볼 수 있었는데, 디지털 회로의 설계와 해석을 용이한 부울대수를 사용하면, 변수 사이의 진리표 관계를 대수형식으로 표시와 논리도의 입출력
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논리회로로서, 림수(borrow) 입력을 취급하기 위해 변수 A,B에 추가로 B의 입력이 한 개 필요함을 공부하였는데, 실제 실험을 통해 이론과 비교 확인해 보았다. 예비보고서와 실험전 시뮬레이션 결과물과 실험 결과는 일치하였고, 이론적 지식을
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실험순서 2에서 표현식을 옮게 적었다면 표현식에는 2개의 곱항이 있고 각 항들 에 문자 D가 포함되어 있을 것이다. 이 표현식을 만족하는 논리회로는 바로 구현 될 수 있다( 이 회로구성은 복습문제에서 다루기로 한다). 각 항을 D로 인수분해
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전압을 증명한다.
DISCUSSION
·TTL은 5Vdc와 공급 전압으로 ground를 사용한다.
·CMOS 공급 전압은 5, 10, 15Vdc이다.
·CMOS 입력, 출력 level은 공급 전압사이이다. (VDD와 VSS)
·VIL과 VIH 사이 전압에서 gate output은 state로 변한다.
·TTL level은 VIL = 0.8Vdc와 VIH = 2.0
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OR gate의 연산 결정
DISCUSSION
OR gate의 출력은 어떤 입력이 high일 때 high이다.
NOR gate의 출력은 어떤 입력이 high일 때 low이다.
high input은 OR 또는 NOR gate에서 불가능할 것이다.
low input은 OR 또는 NOR gate에서 가능할 것이다.
OR/NOR gate 출력은 서로 보완
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