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시에는 변압기의 교류 출력 전압이 6V일 때를 생각하여 보고서를 작성했는데 이번 실험에서는 12V를 이용하였다. 실효값이 12V 인 전압의 최대값은 12V로 약 16.97V가 나오는 것을 확인할 수 있었다. 실험 방법 1)을 통해 반파 정류 회로에서 다이오
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회로로 놓는다.)
3. 사용 장비 및 부품
직류 전원 공급 장치
함수 발생기
오실로스코프
디지털 멀티 미터
MOSFET : 2N7000TA (1개)
저항 10Ω, 1.8kΩ, 2.2kΩ, 3.3kΩ, 4.7kΩ 등 다수
커패시터 : 1μF (전해, 1개), 2.2μF (전해, 1개), 330μF (전해, 2개)
4. 실험 방
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실험 방법
4.1 양방향 리미터 회로 1) 실험 회로 4-1의 회로를 구성하라. R=560Ω, 이다.
2) 입력에 직류 옵셋 전압이 0, 피크값이 4V, 주파수가 100Hz인 정현파를 인가하고 출력 파형을 관찰하라.
3) 파형이 정확하게 잘리는지 확인하고 그렇지 않다면
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실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2
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회로 책을 참고하니 이 증가함으로써 순방향으로 바이어스된 다이오드를 통한 전류 도 증가하고 이에 따라 다이오드의 전압 도 약간 증가해서() 정확히 잘리는 파형이 나오지 않는다는 것을 알 수 있었다.
2.2 파형 정형 회로
2.2.1 실험 회로도
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회로
병렬 공진 회로
공진주파수
공진주파수에서의 임피던스()
최소
최대
3.사용 장비 및 부품
오실로스코프
함수발생기
전원공급장치
저항 : 1 Ω(2개), 100 Ω, 120 Ω, 240 Ω, 5.1 kΩ
인덕터 : 2 mH
커패시터 : 0.01μF
4.실험 방법
1) 그림 6.1과 같이
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실험도 반전 증폭기 실험과 마찬가지로 예비보고서 작성 시 저항을 10배 큰 것으로 바꿔줄 때, 출력 값을 생각하여 입력 값을 적절히 조절해 줘야 한다.
2.3 적분기
2.3.1 실험 회로도
Pspice 회로 구성
브레드보드 구성
2.3.2 실험 방법
1) 위 그림과
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실험 ③
저항값 (평균)
-0.425Ω
* 검토 및 토의 사항
내부 저항을 구하기 위해 좌측 회로에서 전압분배법칙에 따라 에 걸리는 전압 이다. 이 식을 내부저항 에 대하여 정리하면 가 되고 이 식을 통해 를 구하여 평균값을 구하니 평균 저항값이 -0.
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실험 방법
4.1 베이스 접지 증폭기
1) 실험 회로 8-1의 회로를 구성하라.
2) 동작점을 측정하기 위하여 입력 신호를 제거하고 디지털 멀티 미터로 와 를 측정하여 , , , , , 를 계산하라.
3) 입력에 피크값이 1V, 주파수가 1kHz인 정현파를 인가할 때 입
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실험 회로도에서 을 측정하는 점에 오실로스코프의 프로브를 두고 이 있을 때와 제거 후의 전압을 측정하여 을 이용하여 을 측정하였다. 계산 결과 =4.3kΩ이 나왔고 예비보고서에서 작성한 =4.7kΩ보다는 약간 작은 값이 나왔다.
2.1.4 검토 사항
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