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자기저항 메카니즘
4. MRAM이란
5. MRAM의 기본 원리
6. MRAM의 구조
7. 스핀트로닉스(Spintronics)
8. 향후 전망
Ⅳ. PRAM, FRAM, MRAM의 비교
1. PRAM 소자의 장점과 단점
2. FRAM 소자의 장점과 단점
3. MRAM 소자의 장점과 단점
4. 메모리의 구성비교
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화학공학연구정보센터 www.cheric.org Ⅰ반도체
1. 반도체의 정의
2. 반도체의 특성
3. 반도체의 종류
4. 반도체의 재료
Ⅱ.자성 반도체
1. 자성 반도체의 배경과 정의
2. 자성 반도체의 특징
3. 자성 반도체의 재료
4. 자
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Spin Coting법
3. 실험장치 및 방법
4.실험결과
1) 졸-겔법을 설명하고 반응과정에 대하여 서술하시오.
2) 액상법을 이용한 코팅박막제조기술에 대해 조사한다.
3) Spin coating법에 의해 코팅되는 발광재료에 대해 조사한다.
5.토의
6.결론
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반도체에 기초한 electronic devices의 속도 및 집적도의 한계를 훨씬 능가하는 MRAM(Magnetic Random Access Memory), 스핀트랜지스터 등 소위 스핀트로닉스(Spintronics)라는 새로운 기술혁명을 가져오며, 나아가 다가오는 나노기술시대에 나노머신 및 나노소
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스핀 속도와 시간
☞ 두께와 균일성에 영향
Si 표면과 PR간의 접착력 향상
→ HMDS 사용 반도체 (집적회로) 공정
Lithography 개요
Lithography
Lithography 과정
Clean Wafer
PhotoResist coating
PhotoResist
Bake
Mask 제작
Mask Alignment
Expose
Develop
Etching
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