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실험에 앞서 고전압 서플라이의 전압을 조금씩 조정해 가면서 662E/keV 부분에서 특정데이터가 peak 값을 갖도록 맞춘다. (전압을 조정한 후에는 기존 측정 데이터를 지우고 새로 측정하여 맞추어 가도록 한다.) 662E/keV(channel 157)에서 peak 값을 갖
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실험과정
①Substrate 준비 및 표면처리
- 각각의 Substrate를 diamond 칼을 이용해 자른다.
- 표면을 EtOH와 IPA를 통해 닦아준다.
- 대조군과 실험군을 만들어 표면처리를 시켜준다.
- 물, EtOH 등의 용매를 이용하여 각각의 wettability를 확인한다.
②Sampling
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실험과정
①20 mL DMSO 에 PbBr2와 CsBr을 0.8 mmol씩 녹인다. 합성과정에서 Particle의
안정화를 위해 OA 2 mL과 OAm 1 mL를 넣고 충분히 흔들어 녹인다.
(Precursor solution)
②비커에 10 mL toluene을 담은 후 stirrer를 이용하여 stirring 해준다.
③precursor solution 0.5 mL
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양쪽이 아닌 위아래에 놓인다면 오차를 줄일 수 있을 것이라 생각한다.
7. 참고문헌
[1] Hugh D. Young, Roger A. Freedman, SEARS AND ZEMANSKY’S University Physics with Modern Physics. 13th Ed, PEARSON 5. 실험결과 및 분석
6. 토의 및 건의사항
7. 참고문헌
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교수님 사이트 ( http://konkuk.ac.kr/~cgkang )
네이버 백과사전, 지식in
블로그 ( http://blog.naver.com/calba )
HIGH-PASS FILTER
-예비레포트
강철구 교수님/ 김진우 조교님
200910889 기계공학부
이지소 ∘ 실험 목적
∘ 이론적 배경
∘ 참고자료
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결과를 함수발생기의 출력값과 비교한다. 파형의 형태는 결과레포트의 표1에 1주기이상 그리고 출력파형의 측정조건을 기입한다. 파형의 주파수와 크기는 임의로 3개의 선택하여 실험한다(60Hz~1MHz 사이에서 매우 띄엄띄엄하게 선택).
④ TIME/DI
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실험은 정해진 한조밖에 할 수 없었다는 점이다. 다음에 다시 기회가 생긴다면 이 실험의 모든 과정을 직접 해보고 싶다.
6.참고문헌
(일반화학실험, 홍익대학교화학교재편찬위원회,홍익대학교출판부 ,2004) 결과레포트 당정량 (DNS법)
1.
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브리지회로를 이용한 저항측정
9. 키르히호프 법칙의 검증
10. 오실로스코프 및 신호발생기의 사용법
11. 커패시턴스의 특성
12. 인덕턴스 특성
13. 브리지회로를 이용한 L,C 측정
14. R-L, R-C 회로 특성
17. 공진회로 특성
18. 오실로스코프의 x-
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이용한 회로를 구성하는데 필수적인 기본 지식을 다지는 계기가 되었다.
4. 예비레포트의 가상 결선도
그림 1
그림 2
그림 3 ⒜
그림 3 ⒝
그림 4
그림 4⒝
그림 4⒞ 1. 실험 의의
2. 실험 수행 과정
3. 결과물
4. 예비레포트의 가상 결선도
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어렵다고 볼수 있습니다. 이런 이유로 오차값(200%~400%)이 크게 발생하였다고 이해하였습니다.
7.참고문헌 : 일반물리 (형성출판사) 1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험 관련 이론
4. 실험기구 및 방법
5. 실험결과
6.분석및 토의
7.참고문헌
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