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전류의 변화가 0이므로 무한대가 된다.
2) 실험2
실험 회로도
시뮬레이션 결과(Id1-Vin)
시뮬레이션 결과(Vd1-Vin)
시뮬레이션 결과(Vs-Vin)
분석 : 실험1에서 사용한 177Ω의 저항을 Rref로 그대로 사용했고 Iref=20.04mA의 값을 그대로 나타내주었다. 각 노
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트랜지스터가 증폭하는 것은 트랜지스터에 공급되는 전원보다 작은 소신호들이다. 소신호들이 증폭되는 것은 공급전원이 인가 되어서 이므로, 트랜지스터는 공급되는 전원보다 큰 크기의 신호를 생성해 낼수 없다. 실험 7. Op-amp 증폭 실
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증폭할 수 있도록 하기 위해서는 이미터단에 적절한 직류 바이어스 전압이 인가되어야 하므로 이를 위해 축퇴 저항을 사용한다. 축퇴 저항을 사용하면 에 대한 민감성을 줄여주고 의 오차가 줄어듦에 따라 의 오차도 줄일 수 있다. 1. 실험
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트랜지스터는 증폭기에 응용되고, 차단영역과 포화 영역에서의 동작이 스위치에 응용되는데 여기서 포화영역에서는 컬렉터와 에미터 사이에 약간의 전압강하가 나타나게 되고 차단영역에서는 누설전류가 흐르게 되어 컬렉터 저항 RC양단에
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되고 Loading effect가 발생하지 않게 되어 발생할 수 있는 최대 전압이득을 유도할 수 있다. 위에서도 실험을 통해 분석해 본 것과 같이 RL값이 더 커지게 되면 컬렉터 저항의 합성저항은 커지게 되므로 전체 전압이득(Av)는 증가하게 된다.
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실험 유종의 미를 거두기 위하여 최선을 다해야겠다.
7. Reference
http://physica.gsnu.ac.kr/physedu/modexp/e_m/main.htm
일반물리실험
일반물리학 - halliday
Google
http://physics4u.com 1.실험목적
2.이론 및 원리
3.실험장비 및 기구
4.실험방법
5.실험결과
6.결
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실험5. 이 트랜지스터의 값은 얼마인가?
먼저 트랜지스터의 작동점을 구하기 위해서는 그 트랜지스터 고유의 전류 증폭 이득값 을 알아야 한다. 로 직류 전류 증폭 이득 값이고 로 교류 전류 증폭 이득 값인데 위의 특성 곡선 그래프를 통하여
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트랜지스터는 각자마다의 차이점을 갖고 있기 때문에 전류차이가 생기게 된다.
LM 741의 내부구조이다. 필요 부품 및 기기
부품 설명
이상적 연산증폭기란
방법
결과 분석
각 회로및 기기에 대해서
실험 결과
각 실험들의
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증폭기는 전압을 증폭시킨다.
고찰
이번실험은 MOSFET을 통한 전압의 증폭에 대해 알아보는 실험이었다. 실험 결과는 트랜지스터를 이용한 선형증폭기의 그래프와 흡사했는데 차이점은 트랜지스터를 통한 선형증폭기는 전류를 증폭시키고 MOSF
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실험을 통해 새로 알게된
사실은 아무런 입력파형이 없더라도 트랜지스터에는 아이들링 전류가 흐른다는 점이고, 아이들링 전류는 5mA
를 초과해서는 안된다는 점도 알게되었다. 1. 보고서 요약
2. 각 실험별 측정결과와 분석
1) 신호가
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