|
공통드레인, 게이트 ,소스 나름대로의 이점들을 살려 다단으로 증폭기를 설계하면 좋은 이득 고입력 저출력 저항을 가지는 증폭기를 설계할 수 있습니다,
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 )
시뮬레이션 결과 )
JFET
|
|
|
흐르지 않게 된다.
④ 공통 드레인 증폭기 회로의 전력이득은 왜 낮은가?
전압 이득과 입력 임피던스가 낮기 때문에 당연히 전력이득이 낮아지게 된다.
연습문제
① 그림 18-7에서 일 때 양단전압 를 계산하여라.
※ 종합 검토 및 논의
|
|
|
공통소스증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은
|
|
|
.
공통 소스 증폭기 회로도
공통 소스 증폭기 시뮬레이션 1. 목적
2. 이론
(1) 증폭기로서의 FET
(2) 공통-소스 증폭기
(3) JFET의 바이어스
(4) 전압분배기와 소스 바이어스
3. 공통 소스 증폭기 회로도 및 시뮬레이션(피스파이스)
|
|
|
증폭기로서는 바람직한 것이 아니다.
3. 실험기기
전원공급 장치 1대
Oscilloscope 1대 (2채널)
Function generator 1대 (100Hz ~ 1MHz)
JFET : K30A
저항 : 12kΩ 2개, 22kΩ 1개, 470kΩ 1개, 10kΩ 1개
커패시터 :0.1㎌ 2개, 10㎌ 1개 (전해)
4. 시뮬레이션 1. 목적
|
|
메뉴펼치기
