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응용전자전기실험1 과목 수강하며 직접 작성한 레포트입니다.
PSPICE 시뮬레이션 파형 및 회로도 / 실제 실험 결과와 비교 분석 및 고찰 내용 작성되어 있습니다.
레포트 70% 비중 차지하는 실험 과목에서 A+ 받은 자료입니다.
최대한 깔끔하고,
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리포트를 쓰니 얻는것도 없는것 같고 보람도 없는것 같다. 실제로 경험하고 느낀걸 토대로 스스로 분석을 해보고 반성을 해보는 시간이 결과 레포트를 쓰는 시간인데 그런 시간 하나를 날렸다. 가장 큰 불찰은 시간이 없었다는 변명으로 실험
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⑤ PSW(Program Status Word)
⑥ Program Counter(PC)
⑦ 그 외의 CPU 레지스터
메모리 구조
프로그램 메모리
데이터 메모리
8051동작을 위한 회로연결
8051의 인터페이스
발진회로
리셋회로
외부 메모리 인터페이스
C언어의 기본적인 사항들
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흐르는 전류에는 높은 저항을 유도 한다. Ⅰ. 개요 (Introduction)
Ⅱ. 이론 (Theory)
Ⅲ. 실험장치 및 실험절차 (Apparatus & Procedure)
Ⅳ. 데이터 및 결과 (Data & Results)
Ⅴ. 오차분석 (Error Analysis)
Ⅵ. 토의 (Discussion)
Ⅶ. 참고문헌 (References)
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회로를 사용하여 위 순서 (2)~(4)를 반복실험 하여라
(6)위순서 (5)에서 얻은 결과를 측정값에 대한 %오차를 측정하여라.
*참고문헌
1. 전자통신기초실험, 전자.통신연구회 편, 도서출판 상학당
2. 전자실험의 기초, 최동선 외, 도서출판 상학당
3.
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현재 값으로 평형이 될 수 없다.브리지가 평형을 이루려면 arms의 설정을 바꾸어야 한다.
5.참고문헌
*신회로이론 박송배 문전당
*기초회로 실측에 기초한 전자전기 실험
-홍순관 도서출판 글로벌 브리지회로 실험 보고서
목차 없엄...
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http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm
http://asan3.sch.ac.kr/~bslee/lecture/전자회로1/chap1/index.html 실험 제목
실험 목적
기초 이론
실험 방법
시뮬레이션 결과
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기초 실험 / 김영일 외 3인 / 기전연구사
◇ 기초 전기·전자공학 / 김종수 외 5인 / 청문각
◇ http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lec_no_list.asp
시뮬레이션 결과 분석
R = 100Ω , L= 30mH , C = 2.2㎌ , V = 5V 인 직렬공진 회로의 시뮬이션 결과를 보면 공진 주
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