|
/DIV : 0.2V, TIME/DIV : 2㎲로 조정한 후 FG 출력파형, 저항전압파형, 인덕터파형을 측정한다.
※ FG 출력파형, 저항 전압파형
※ FG 출력파형, 인덕터 전압파형
5. 결과 및 분석
5.1 실험 4.1의 결과, 즉 입력전압을 기준으로 한 R, L의 전압을 그리고 제
|
|
|
AND 게이트를 활성화시키나, 부의 스파이크는 그렇지 않다. 효과로서는, 양의 스파이크동안, 입력게이트를 활성화시켜 짧은 순간동안 D의 값을 취득한다. 이러한 시점에서 D와 D의 부정값이 입력에 인가되어 Q를 세트 혹은 리셋시킨다. 이러한
|
|
|
전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
http://dyon.postech.ac.kr/Edulab/gen-phy2/exp9/exp9.html
http://user.chollian.net/~jackcom/study/hw/diode.htm
http://www.eungok.hs
|
|
|
력이 ‘H’인 기간에만 파형이 출력
2. 가변함수 출력 : 출력은 HIGH(HI)에서 20 Vp-p혹은 LOW(LO)에서 2 Vp-p로 출력이 가변 된다. 최대 부하 전류는 100mA이다.
SINE 파 : 정현파 출력
Triangle 파 : 삼각파 출력
Square 파 : 구형파 출력
3. DC offset 과 DC 출력 :
|
|
|
그림 1,2 RC 직렬 회로
그림 3 RC병렬 회로
그림 4 RC 가변저항 회로
그림 5,6 RL 직렬 회로
그림 7 RL 병렬 회로
그림 8 RL 가변저항 회로
|
|
|
정 값
4. 참고문헌
- 안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
- 홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공학실험, 홍릉과학출판사
- 전자 실험 (최동선외 5명, 광명출판사, 1999)
- 기초전기전자실험 (홍철호&임해진, 승지사, 1986)
|
|
|
+ 4000
fR + 5000
fR + 6000
4. 참고문헌
-최신기초전기전자실험 (김지홍외 , 동일출판사 ,1995)
-전기전자 기초 실습 (안전관리연구회, 신광문화사, 1999)
-전자 실험 (최동선외 5명, 광명출판사, 1999)
-기초전기전자실험 (홍철호&임해진, 승지사, 1986)
|
|
|
전기전자 회로실험 / 박철원 외2인 / 경문사
기초 전기전자공학실험 /
http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lec_no_list.asp
시뮬레이션 결과 분석
시정수τ와 주기T와의 관계에대해 생각해보자.
회로1에서의 시정수 τ= RC = 100 × 0.33×
{ 10}^{-6 }
= 33×
{ 10}^{-
|
|
|
실험하여 작성한다.
Ⅴ. 시뮬레이션 결과
참 고 문 헌
James J. Brophy, Basic Electronics for Scientists, McGrow Hill
이석목, 2003년 1학기 전자물리학 강의노트
안영화 외3명, 전자공학으로의 초대, 인터비젼
홍순관 외2명, PSpice와 함께 하는 기초 전자전기공
|
|
|
전기전자공학실험 - 대한전자공학회, 2006, 교학사 Lab 7. 테브냉의 정리
1. 실험목적
2. 이론
1) 테브냉의 정리
3. 사용기기 및 부품
4. 실험순서
[실험 1 : 옴미터의 사용]
[실험 2 : Rl이 330Ω일 때 Il, Vth, Rth의 측정(=330Ω)]
[실험 3 :
|
|
메뉴펼치기
