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예비실험 1), 2) 3)을 반복하시오. =0.5mA가 되게 VBB를 조절한다. Transient 시뮬레이션 시에는 출력 전압이 포화가 되어 왜곡이 생기지 않도록 입력 신호의 진폭을 낮춘다.
=> =0.5mA가 되는 VBB 값은 약 2.1673V입니다.
=> Transient 해석과 AC 해석을 위
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따라 실제 증폭율과 차이를 보일 수 있음)
Schematic
Vo (Freq= 10 Hz),
Vo (Freq= 100 Hz)
Vo (Freq= 1 kHz)
Vo (Freq= 100 kHz)
Vo (Freq= 1 MHz)
Vo (Freq= 30 MHz)
Frequancy(Hz)
Vout(V) [peck to peck]
10 Hz
14mV, 0.7
100 Hz
360mV, 18
1 kHz
1.3V, 65
100 kHz
1.6V, 80
1 MHz
1.6V, 80
30 MHz
1.2V, 60
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)이 Vin, 채널2(푸른색)이 Vout이다.
따라서 이 회로는 입력 신호가 반전, 증폭되는 반전 증폭기로 동작함을 알 수 있다.
첨두치는 입력이 100mVpp, 출력이 476mVpp이다. 따라서 이득 AV는 476/100 = 4.76이 된다. ① 드레인 특성
② 소스 공통 증폭기
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전압-전류 특성
(7) BJT 기본 증폭기
(8) 온도의존성
(9) 이미터 안정화 저항
(10) 고정바이어스
(11) 전압분배 바이어스
(12) BJT 실제 특성
(13) 이미터 공통 증폭기
(14) 달링턴 증폭기
실험방법
실험 1. 간단한 공통 이미터 증폭기
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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작게 한 후 증폭기의 신호입력에 연결하고 각단의 출력을 측정한 결과, 이론과 일치하는 증폭된 파형이 출력되었고, 각단의 DC 바이어스 + 사인파 의 형태로 출력되었다. 1. 주제 및 실험 관련사항
2. 전체 회로도
3. 각단 해석
4. 결론
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실험자가 실수 하였을 과실적 오차, 측정 조건의 변동, 측정자의 주의력 동요 등에 의한 우연 오차가 있을 수도 있다.
그래도 공통 소스 FET에서 와 이 하는 역할을 알게 되었으며, 보고서 작성중 트랜스컨덕턴스 이 무엇인지 어떠한 기능을 하
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핑 현상이 관찰되었다. 시뮬레이션값과 실제 실험값의 오차가 거의 없다고 할 수 있다.
2. 비고 및 고찰
이번 실험은 MOSFET 공통 소스 증폭기 주파수 특성을 알아보는 실험이었다. 이 중에서 우리는 전류 소스를 부하로 사용한 능동 부하 MOSFET
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실험에서 얻은 측정값과 비교하라.
이론
13. 전압이득, 입력 임피던스, 출력 임피던스 세 가지 중에서 트랜스컨덕턴스 값에 영향을 받는 것은 무엇인가?
답 : 전압이득이 로 영향을 받는다.
14. 이 모이실험의 첫 번째 회로에서 저항 를 4kΩ로 바
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실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
6. Time = 850 ㎲
Volts/cm = 15.02 , Time/cm = 5cm
9. Time = 95 ㎲(
10. 가. 100kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 1000 ㎲
나. 10kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 100 ㎲
14. Time = 1520 ㎲
16. Time = 1900 ㎲
20. Time = 360 ㎲
22. Time = 3800 ㎲ → 3440
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