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실험 결과로 보아 여기에서 이상적인 막의 두께는 200A로 볼 수 있다. 1.실험 목적
2.이론적 배경
MOS 캐패시터
1) 산화공정
2) CVD 공정
3) Photo 공정
4) PVD 공정)
3. 실험방법
4. 결과 및 고찰
1)C-V 그래프
2)I-V 그래프
3)결론
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재료전자기학 - 이후정교수님 강의안 1. 실험 목적
···········
p. 2
2. 실험 배경
···········
p. 2
3. 실험 이론
···········
p. 2
① Si의 특성
···········
p. 2
② MOS Capacitor
···········
p. 3
③ E-Beam의 구조와
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실험 방법
실험 재료
입력신호
1N4148, GROUND, VDC, RES(저항),
D1N750(제너다이오드), 캐패시터
Vin: f=1 kHz, Vp-p=12V
1. 반파 배전압 회로
5ms이내 안에서 전압이 감소 하며 차후에도 아주 조금씩 감소하다가 거의 일정하게 된다.
2. 전파 배전압 회로
2ms이
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재료를 기판으로 하고 MOS기술에 의한 것이 주체가 된다. 기능으로서는 화소분할, 광전 변환, 축적, 주사를 행하는데, 주사에는 촬상관처럼 전자빔을 쓰지 않고 스위칭 또는 전하의 전송을 클락 펄스에 의하여 행한다. 각 화소는 기하학적으로
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전자제품과 자동차ㆍ인공위성 등에도 사용하고 스마트폰 한 대에만 500여개가 쓰인다. 우리나라에서는 계속 초고용량 신제품을 선도하면서 세계 2위권의 강국이다.
(MLCC 다결정)
(MLCC 내부) 1. 실험목적
2. 실험원리
3. 실험기구 및 재료
4.
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