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실험 수행하였는데, 수소화 및 탈황 기능 측면에서는 두가지 촉매가 공히 비슷한 활성ㅇ르 보여주었지만 수소화 방향족 생성 측면에 있어서의 선택도는 전자가 상대적으로 높다고 하였는데 이것은 액화반응 저건 하에서 용매에 수소공여 기
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캐패시터의 전기적 특성은 그 것의 주조에 의해 결정된다. 예를 들면 탄탈륨 캐패시터의 ESR은 저주파수에서 탄탈륨 5산화물 유전체에, 그리고 더 높은 주파수에서 내부 이산화망간에 매우 의존적이다. l. Tantalum(Ta) 정의
- 탄탈 물성표 -
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실험은 캐패시터 대신 인덕터로 바뀐 회로입니다. 각 소자의 임피던스 값은 쉽게 구할 수 있었습니다. 실험 재료가 부족하여 커패시터도 맞는 것이 없어서 여러개의 소자를 연결하여 쓰는 경우도 있었습니다. 인덕터는 책에는 1-20H 였지만 실
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전자정보통신기기의 디지털화에 따른 Noise대책 요구의 증가 및 고주파화에 따른 칩 부품의 채용확대가 늘어날 전망이라 계속으로 수요가 증가할 것으로 예상됨
기술전망
1) 원재료 설계 및 제조 기술
① 인피던스 특성 및 Q특성이 우수한 원료
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영향
3. 용도
Ⅶ. 산화와 금속산화막반도체전계효과트랜지스터
1. 구조적 특징
2. 동작 특성
1) Depletion MOS FET
2) Enhancement type
3. Depletion type의 장점
4. Enhancement type의 장점
Ⅷ. 산화와 산화전분
1. 파열강도
2. 수직압축강도
참고문헌
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전자 회로 :조세황저 진영사 (p 33-64) 1. 열평형 상태의 p-n접합
2. p-n접합의 전위장벽
3. 전장과 전위
4. 관련 수식
5. 계단 접합
6. 바이어스 인가시의 p-n접합
7. 순방향 바이어스 인가시의 정성적 해석
8. 이상적인 다이오드
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실험 방법
① Fe - Cu분말을 전자저울에 5g으로 맞춘다.(구리분말의 비율은 100:0, 97:3, 94:6, 90:10 함)
② 분말을 프레스몰드(양남펀치)안에 넣는다.
③ 그린 밀도와 겉보기 밀도를 구한다.
④ 프레스몰드를 프레스 기계안에 넣고 5ton으로 압을 가한
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실험 준비물
· 기기
① DMM ② 함수발생기 ③ LCR미터 또는 캐패시터/인덕터 분석기
· 저항
① 2 kΩ ½-W 1개
· 캐패시터
① 0.033 uF 1개
② 0.1 uF 1개
4. 실험과정 Pspice로 구현
표 44-1. 직렬 RC회로의 임피던스 결정
Capacitor
Value
,
Voltage Across Resistor
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캐패시터가 각각의 면적을 차지하는데 기인
- FRAM에서는 별도의 면적이 필요한 이유는 공정 기술과 관계되는데 유전체 박막을 Si 기판위에 쉽게 캐패시터를 형성할 수 없기 때문임.
- 적절한 전극물질과 보호막을 개발하여 Si 위에 강유전체 박
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캐패시터는 너무 작아서 공정중에 테스트하기가 어려우므로 테스트 다이는 공정중의 품질관리를 위해서 만들어진다. 또한 테스트 다이는 수율을 높이는데도 기여하는데, 완성된 웨이퍼의 패턴이 여러공정의 질을 보여주기 때문이다. 그러나
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