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회로에서 부하저항 RL 증가하면 전압이득은 어떻게 변하는가?
(a) 증가한다. (b) 감소한다. (c) 변동이 없다.
⇒ 에 의해 분자의 값이 증가함으로 전압이득은 증가한다.
5. 그림 22-1의 공통소스 증폭기의 동작은 바이폴라 트랜지스터의 어느 것과
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거 실험결과표 (+15V ~ -15V)
입력전압[V]
-15
-12
-9
-6
-3
0
3
6
9
12
15
출력전압[V]
28
25
22
19.2
16
13.8
11.4
8.6
5.8
2.6
1.4
|그림 20-25| -15V에서 +15V로 변할 때 슈미트 트리거의 입출력파형
|그림 20-25| +15V에서 -15V로 변할 때 슈미트 트리거의 입출력파형
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: 2.06 [V] 출력신호 진폭 : 6.40 [V]
|그림 19-11| 삼각파 입력에 대한 미분기 출력 파형
입력신호 진폭 : 1.97 [V] 출력신호 진폭 : 10.7 [V]
|그림 19-12| 사인파 입력에 대한 적분기 출력 파형
입력신호 진폭 : 2 [V] 출력신호 진폭 : 15.7 [V]
|그림 19-13| 구형파
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실험목적
1. 단일입력 차동 증폭기의 출력파형을 관찰하고, 입력과의 위상관계를 살펴본다.
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증폭기에서는 VG의 증가에 따른 VD의 감소을 예상할 수 있었으나 공통드레인 증폭기에서는 VS=ID×RS에 의해 입력과 출력이 같은 위상차에 의해 진행되게 된다.
3. 그림 23-1의 회로에서 JFET 순방향 전달컨덕턴스가 증가하면 전압이득은 어떻게 변
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증폭기의 동산신호제거의 측정단위는 데시벨(dB)이다.
4. 차동전압이득이 100이고 동상전압이득이 0.001이면 동상신호제거는 얼마인가?
(a) 40dB(b) 60dB
(c) 80dB(d) 100dB
⇒ CMR(dB)=20log( Av(d) / Acm ) 으로 즉 20log(100/0.001) = 100dB이 나온다.
5. 그림 28-1의 회로
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I(R1B1) I(R1B2) I(R1C) V(3) V(4)
1.000E+01 8.207E-04 8.151E-04 8.861E-04 1.793E+00 1.936E+00
이론값
모의실험값
측정값
오차(%)
Ib(uA)
Ic(mA)
Vb(V)
Vc(V)
*직류해석(뒷 단자)
.OP
.DC VCC 10V 10V 6
VCC 6 0 10
R2B1 6 9 68K
R2B2 9 0 10K
R2C 6 7 2.4K
R2E 8 0 240
R3E 10 0 1K
Q2 7 9 8 Q2sc1815
Q3 6 7 10 Q2
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= sin (@-180)입니다.
< 미분기 회로 >
< 미분기 동작 파형 >
3. 미분기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 -
시뮬레이션 결과 값: Run to Time :5ms 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 미분기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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→ +100uA
IB가 100uA일 때 IC가 2mA라 가정하면…
컬렉터 전류 : 2mA → 3mA → 2mA → 1mA → 2mA
VC = VCC - VRL
VRL = ICRL
* 바이어스 방법과 안정화
*이미터 바이패스 캐패시터
* 위상관계
3) 시뮬레이션 결과 1)실험 목적
2)관련 이론
3)시뮬레이션 결과
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기반으로 하여 회로를 설계해도 별 무리가 없겠다.
3. 반전 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 -
시뮬레이션 결과 값:Run to Time :10ms 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 반전 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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