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실험값이 비슷하게 나온다는 것을 볼 수 있었다. 이번 실험을 통하여 OP AMP 소자가 비이상적이지만 어느 정도 회로이론이나 전자회로 시간에서 배웠던 특성을 눈으로 확인할 수 있었다. 특히 반전 증폭기에서 입력과 출력 값의 차이에서 그 엠
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실험을 통하여 반전, 비반전 증폭기의 증폭비를 전자회로 강의 시간에 이론으로만 알고있었던 이론을 눈으로 직접 보고 실험해보니 머릿속에 더 이해가 잘되고 기억에 남는다. 적분기의 원리도 잘 이해하지 못했었지만 이번 실험을 통하여
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회로를 구성한다.
2. S1을 닫고, 컬렉터 회로의 전류 IC를 측정하여 기록한다. VBE, VE, VCE도 측정하여 기록한 후 IE를 계산한다.
3. 음성 신호 발생기를 1000Hz에서 최소 출력으로 조절한 후, 증폭기의 입력 단자에 연결한다. 오실로스코프의 수직 입
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실험도구의 parameter 값의 오차가 있을 수 있기 때문이다.
(3) 그리고 부품마다의 노이즈, 정보손실이 있을 수 있기 때문에 오차가 발생한다.
4. 전압-전류 변환기 입력에서 가변 저항기와 전압계를 제거시킨 후에 남아 있는 회로는 전자 전압계
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주파수 를 측정해보니 =83.586Hz가 나오고 =1.3914MHz가 나왔다. 이를 통해 대역폭을 계산하면 약 1.3913MHz가 나온다. 전자회로실험 예비보고서
9장. MOSFET 증폭기 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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회로가 증폭기로서 동작할 때 전압이득은 얼마인가?
(a) -10 (b) -1
(c) 1(d) 10
⇒ 회로가 증폭기로서 동작할 때는 Rf/Rs의 전압이득을 가지고 증폭기로서 동작하므로, -22㏀/2.2㏀=-10의 전압이득을 가지게 된다
3. 그림 31-1B의 회로가 적분기로서 동작
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전자회로실험 예비보고서
1장. 연산 증폭기 기본 회로
1. 실험 목적
이상적인 연산증폭기의 특성을 파악하고 연산 증폭기를 이용한 기본 회로인 비반전 증폭기, 반전 증폭기, 가산 증폭기, 적분기의 회로 구성과 동작 원리를 이해한다.
2. 이론
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회로에서 출력 파형의 왜곡에 따른 포화 상태의 도달에 대해서 알 수 있는 실험이였다. 실험이 대체적으로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비슷하게 나와 실험을 순조롭게 진행할 수 있었다.
3. 결론 이미터 접지 증폭기에 대해 실험을 해보고 트랜지
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커패시터까지 제거한 후 전압을 측정하고 계산해봤더니 은 약 622.7Ω이 나왔다. 전자회로실험 예비보고서
8장. 베이스 접지 증폭기 및
이미터 폴로워 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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실험을 더 해보니 거의 정확한 값을 얻을 수 있었다. 앞으로도 실험 강의 자료에 있는 실험 방법에만 만족하지 않고 더 나아가 다른 실험도 추가적으로 해보는 자세를 갖도록 해야겠다. 전자회로실험 결과보고서
8장. 베이스 접지 증폭기
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