|
실험절차
(1) 두 개의 R1과 R2 저항을 갖는 직렬저항 회로를 구성하여라.
(2) 함수발생기의 출력이 1kHz, 2Vp-p 인 정현파를 갖도록 맞추고 회로의 입력으 로 공급하여라.
(3) 저항 R2 양단에 걸리는 전압 VR2를 옴의 법칙을 이용하여 계산하여라.
(4) 저
|
|
|
전압의 변동(리플전압)을 확인 할 수 있다.
고찰
이번 실험은 다이오드를 통과한 직류전원의 출력파형을 분석해 보았다.
전자회로 시간에 배운 부분이라 이론적으로 약간 이해를 하고 실험을 해서 그런지 회로를 구성 하는 것 외에는 이때까
|
|
|
회로와 에미터 팔로워를 같이 구성한 증폭회로를 구성해서 결과를 확인해보는 것도 좋을듯하다. 이로써 한 학기 동안의 실험을 모두 마쳤다. 이론으로만 배울 땐 어렵게 느껴졌던 전자회로를 실험을 통해 다시 배우면서 제대로 이해할 수 있
|
|
|
회로에서 공통적으로 10%를 넘지 않으면 그 오차는 생각하지 않아도 된다고 전자회로 시간에 배운 적 있다. 실 제로 10% 내의 오차는 무시해도 된다. 단 정밀한 회로를 요구하는 곳에 대해서는 예외다.
위의 실험을 통해 알고자 함은 전압과 전
|
|
|
전자회로 등에 많이 사용되는 피막저항은 탄소피막 또는 금속피막을 자기환봉(磁器丸棒)에 구워 붙인 것인데, 일반적으로 전기용량이 작다. 다량생산에는 적당하나 정밀도가 그다지 좋지 않다.
ⅱ. 참고 문헌
- 전기전자공학개론 / 최성연 외
|
|
|
전압이 높았다.
3. 실험에 대한 고찰
이번 실험은 741 Op Amp를 가지고 무선 RF연결을 하는 실험이었다.
처음에 Funtion Generator에 6cm쯤 되는 전선을 꽂아 송신기를 만들었다. 그리고 741 Op Amp를 사용해 실험책에 나온 회로도로 수신기를 만들었다. 수
|
|
|
전압을 가하는 방법과 흐르는 전류
① VDS가 작을 때 ID는 VDS이 비례하나, VDS가 어느값 이상 커지면 ID는 VDS에 그다지 영향을 받지 않고 포화되어 VGS에 의해 크게 변화한다.
(나) FET 내부에서의 전자 움직임
① 공핍층(depletion layer) : pn접합면에
|
|
|
실험목적
하중의 변화에 따른 LOAD CELL의 특성을 이해하고 원리를 파악할 수 있다.
실험결과
인가하중 (kg)
출력전압[V]
0
5.10
1
5.31
2
5.53
3
5.76
4
5.97
5
6.20
6
6.40
7
6.63
8
6.85
9
7.04
10
7.24
< 로드셀의 실험 결과 > < 그래프 >
고찰
이 실험을 통하
|
|
|
전압이 흐른다. 따라서 (1N914)는 LED를 보호하는 역할을 하게 된다.
④ 전원의 극성을 반대로 하였을 때 다이오드(1N914)가 LED를 보호하는 이유에 대하여 생각해보자.
위의 실험에서와 같이 입력되는 전압의 방향을 반대로 하여 회로를 연결하였
|
|
|
전압으로 처음에는 +로 시작하였다가 시간에 따라 급격히 감소하다가 -값에서 일정하게 계속 유지를 하다가 시뮬레이션이 끝나갈 무렵에 다시 상승했다. 실험 과정
(1) 부품 가져오기
(2) 선그리기
(3) 파라미터 설정하기
(4) 시뮬레
|
|
메뉴펼치기
