|
전자(-)를 배출한다. 배출된 전자는 나노입자(정공+)를 따라 투명전극필름으로 흐르게 되는데, 이것이 전기를 만들게 된다. 나노입자로는 주로 가 사용된다. 전해질은 전자를 배출한 염료에 다시 전자를 생성시켜주는 역할을 담당한다. 실험에
|
|
|
전압에 맞추어 공급 전압을 생성/ 조절하는 회로로서 스위치로 막고 있다가, 스위칭 주파수에 맞게 스위치를 여닫으면서 필요전압을 공급한다.
4) 함수 발생기
- 주파수 발생기로도 불리워지는 함수 발생기는 실험에 필요한 적절한 주파수를
|
|
|
전자통신기초실험(상학당) p19~24
기초전기전자공학실 - (주)교학사
http://blog.naver.com/mgchun72?Redirect=Log&logNo=50000781803
http://blog.naver.com/ghostgod2000/60075235616
http://ask.nate.com/qna/view.html?n=3922464
http://blog.daum.net/grs703/5
http://blog.daum.net/skadkfl12/3750744
http://bl
|
|
|
전압계의 내부저항은 회로의 저항 값에 비해서 매우 커야 한다. 그렇지 않으면 부하효과 즉 전압계가 들어간 바뀐 회로에 의한 영향으로 측정하려고 하는 원래 전압 값을 제대로 잴 수가 없다.
I. 실험과정
1) 대나무 길이측정 : 1m길이의 대나
|
|
|
PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky Ⅰ목적
(1) JFET 증폭기의 바이어스 회로를 고찰한다.
(2) FET 소오스 접지 증폭기의 특성을 조사한다.
(3) FET 드레인 접지 증폭기의 특성을 실험한다.
Ⅱ이론
(1)바이어스 회로
(2) 접지방식에 따른
|
|
|
전류가 유입되어진다. 따라서, 트랜지스터의 컬렉터에서 일정한 전류(전압)이 인가되고, 이 전압은 위의 데이터에서 보듯이 총 인가된 전압보다 저항에서 발생하는 전압강하가 더 큰 현상을 야기시킨다.
4. 실험 회로도 와 시뮬레이션
|
|
|
같은출력을 얻는다.
그림 4. 비반전 회로
참고문헌 ; 전자회로공학 / p633~651
기초전자회로실험 / 연산증폭기편 1.op-amp의 개관
2.동작의 개요
3.op-amp 이득
4.입력/출력 극성
5.공급전압
6.기본적 차동증폭기
7. 반전 증폭
8.비반전 증폭
|
|
|
실험결과 아무래도 9V보다 작은 값이 나온 8.8V가 참값이 아닐까 생각한다.
직류 전류 측정에서는 회로를 구성에 있어 너무 큰 저항을 사용하여 100mA의 전류계로써는 정확한 값을 읽어 내기 불가능하였다. 그래서 저항값을 바꾸는 대신 전압을 1
|
|
|
회로를 결선하고 R1,R2,V1,V2 표 8,3에 지시된 대로
바꾸어 a,b 양단의 전압 Va,b를 측정하여 기록하라.
5 참고문헌
1) 인하대학교 기계학과 전기회로 및 실습 manual.
2) 기초 전자실험, 김 태 외 1인, 형설출판사 , 79p-100p
3) INTRODUCTION TO ELECTRIC CIRCUITS , RI
|
|
|
다음과 같다.
• 입력신호의 시간과 전압의 크기
• 발진 신호의 주파수
• 입력신호에 대한 회로상의 응답변화
• 기능이 저하된 요소가 신호를 왜곡시키는 것 실험제목
실험일자
실험목적
실험장비
이론
장치설명
|
|
메뉴펼치기
