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f_L_S = 1 OVER {2 R_eq C_S}
이고 그림 12에서
R_eq
는
R_eq = R_S OVER {1+ R_S (1+g_m r_d) / (r_d + R_D R_L ) }
r_d
이라 놓으면
R_eq = R_S 1 OVER g_m 소신호 증폭기의 주파수 특성
Ⅰ목 적
Ⅱ이 론
(1) 저주파 응답 - BJT 증폭기
(2) 저주파 응답 - FET 증폭기
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실험 30 FET 증폭기 특성 시뮬레이션
실험 순서(3)에 의한 입력 및 출력파형
입력파형
출력파형
실험 순서 (5)
Rd를 4.7k로 바꾸었을 때 출력
Rd를 680으로 바꾸었을 때 출력
실험 순서(6)
R_G
를 10k로 바꾸었을 때 출력파형
R_G
를 1M로 바꾸었을 때
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PRENTICE HALL Robert L.Boylestad Louis Nashelsky Ⅰ목적
(1) JFET 증폭기의 바이어스 회로를 고찰한다.
(2) FET 소오스 접지 증폭기의 특성을 조사한다.
(3) FET 드레인 접지 증폭기의 특성을 실험한다.
Ⅱ이론
(1)바이어스 회로
(2) 접지방식에 따른
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특성 방정식을 이용하여 를 구한다.
전압 분배에 의해,
특성 방정식,
전압 이득의 표현은 JFET와 D-MOSFET 회로와 같다.
여기서,
E-MOSFET
(2) 공통 드레인 증폭기 (Common Drain Amplifier)
드레인 증폭(common darin) 접속은 FET에 대한 또 다른 기본적인 증폭
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FET는 온도가 올라가면 반도체특유의 특성인 -2.3mV/도 라는 특성이 생기는데 가령 base 전압을 조절하여 적당한 bias가 되도록 조정해 놓았다고 해도 TR자체가 발열한다든지, 주변 온도가 올라가면 Vbe의 특성이 -2.3mV/도 로 낮아지고, 그에 따라 base
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특성 연구, 대한기계학회논문집, 제 21권, 제10호, pp. 17~42, 1997.
[4] http://blog.naver.com/kimmblog?Redirect=Log&logNo=10074358534
[5] 권태진, 오디오 용어사전, 월간오디오 출판사, pp. 120~123, 1993.
[6] 이정환, 스피커 유닛, 스테레오 파일 (Stereo File), 제 2월호, pp. 3
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