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실험에서는 회로를 구성하고 실험하였더니 High state 출력이 약 1초마다 반복되는 출력을 확인할 수 있었습니다. 다시 말해서, 출력전압의 주기는 약 1초이고 듀티 비는 매우 작은 전압의 파형을 출력하는 것을 확인하였습니다. 저항 의 값을 감
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실험을 할 때는 회로를 구성하였더니 출력단에서 구형파의 출력이 나오는 것을 알 수 있었다. 이번 실험에서는 흥미로웠던 점은 가변저항을 가지고 와 를 조절하면서 출력전압의 주파수와 듀티사이클을 측정하는 것이었는데, 따로 주어진 가
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실험에서도 이와 비슷한 37.35uA가 나온 것을 확인할 수 있다. 약간의 오차가 발생한 것은 서로 정합되지 않은 MOSFET을 이용하여 회로를 구성하였기 때문이라고 생각한다.
- 실험 순서 2)는 DC 전압과 관련된 실험이었는데, 이는 동작점을 찾기 위
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54 [V]
8.201 [V]
9.427 [V]
9.583 [V]
9.746 [V]
① (= 100으로 가정)
②
③
④
⑤
실 험 결 과
<표 6-3> 전압분배기 바이어스회로 실험결과 기록표
측 정 량
측 정 값
이 론 값
트랜지스터
트랜지스터
1.932 [V]
2.05 [V]
1.254 [V]
1.35 [V]
2.67 [mA]
2.87 [mA]
5.3 [V
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전압계(10/50[V]) -1대
(6) 교류 전류계(10/50[mA]) -1대
(7) 회로 시험기 -1대
(8) 오실로스코프 -1대
(9) 실리콘 다이오드 -4개
(10) 저항(500[Ω], 1[kΩ]) -각1개
(11) 만능 기판(bread board) -1개
(12) 리드선 -다수
4.실험 방법
1.그림과 같이 브리지형 전파 정류 회
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회로의 선형동작영역 실험결과 (표 6-1~표 6-4)에서 구한 전류증폭률 의 평균값 를 구하여라.
그림 6-10의 트랜지스터 이미터 공통회로를 해석하여라.
단, 사용한 트랜지스터 소자의 전류증폭률 =200, 베이스와 이미터 사리의 도통전압 =0.7V, 컬렉
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작품선정 배경 및 목적
수업시간에 배운 내용을 토대로
우리가 직접 프로젝트를
진행함으로써 회로에 대해 좀 더 고찰하고 배움
그리고 흥미를 고려하여 전자주사위로 결정함. 1. 작품선정 배경 및 실험목적
2. 일정 및 역할분담
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, 10번 실험) 를 제거하자 전압이득이 현저하게 떨어지는 것을 알 수 있다. 즉 는 교류 전압이득을 저하시키지 않기 위해서 반드시 필요하다.
(2) 의 제거가 증폭기 성능에 어떤 영향을 주는가?
⇒ 는 이미터 저항으로 전류이득과 출력저항에 전
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R-C 직렬 및 병렬 회로 사진과 위상차, 저항에 따른 전류의 변화
R-C 필터는 주파수 변화에 따른 전압의 변화
주파수는 1KHz 차이로 50KHz까지 하였고 이론값과 실험값의 오차를 계산. 그래프고 나타냄 1. 실험목적
가. R – C 직렬 회로의
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전압
IC칩에 인가될 수 있는 최대 허용 전압의 크기를 나타내며, 최대 허용 전압을 알고 있으면, 최대 허용 전압을 초과되지 않게 하여, 칩이 타거나 회로가 작동 안하는것을 방지할수 있다.
●실험 방법 및 유의 사항
1 - (1) 측정문제
*회로도
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