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실험처럼 접지를 할 수 없는 경우입니다.
이미터공통증폭기의 경우 콜렉터와 전압에 걸린 양단전압을 측정해야 한다. 그런데 보통 계측기(오실로스코프, power supplely, signal generator...)등은 서로 접지되어 있다. 따라서 일반 접지형 오실로스코
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실험은 아니었고 1학기 때 배웠던 에미터 플로워의 복습 및 실습이라 생각하고 실험에 임했다. 실험에서는 2N2102를 사용하라고 했는데 기자재 부족으로 C2120을 사용하여 실험을 하였다. 이론에서 배운적이 없던 전력이득을 구하는 실험이었는
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공통 게이트 증폭기는 공통 베이스 증폭기(BJT)와 유사
낮은 입력저항 Rin(source) = 1/gm
전압이득은 공통소스증폭기와 동일(Av = gmRd)
FET(Fileld-Effect Transistor)이 고입력 임피던스를 갖는 이유
간단히 말씀 드리면 FET의 물리적 구조 때문입니다. 게
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공통에미터 회로에서 차단영역(cutoff region)은
I_B
가 0이 되는 영역으로, 그림 14-11(a)에서
I_B
가 0일 때
I_C
는 0이 아니라
I_{C E O}
가 된다는 점에 유의해야 한다.
[참고 서적]
전자공학개론 정림사. 저자 김종훈 1998년 4월 20일 발행.
전자회로.
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-이미터 측의 도핑농도를 컬렉터측에 비해 훨씬 높게 만든다
-이미터와 베이스 사이의 결핍층 두께는 컬렉터와 베이스 사이보다 좁다
참고문헌
-http://asic.postech.ac.kr/3.Class/1.Classes/EECE232/exp/2/exp2.pdf
-전자회로, 한건희
-http://cad.yonsei.ac.kr/
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