|
전자이동도 트랜지스터에 대한 불소계 고분자 보호막의 영향, 한국화학공학회
장야극방 저, 김철주 역(1986), 집적회로공학, 경문사
Hiroshi Okuzawa 저, 양해권 역(1997), 트랜지스터기초, 기다리 Ⅰ. 개요
Ⅱ. 터널다이오드 트랜지스터의 동작(
|
|
|
회로에 아무영향도 없다.
또한 보통 반전증폭회로에서 고역의 이득을 감쇄시키기 위하여 궤환저항에 콘덴서를 병렬로 넣는 예를 많이 보게 되는데 이것은 불필요한 신호의 증폭을 피하거나 발진을 억제하는데 효과가 있기 때문이다.
3. 실험
|
|
|
Gate가 단락되어 있으므로 입력저항은 무한대가 된다. 그리고 이러한 Source Follower를 이용하여 버퍼를 만드는데, 이때 버퍼의 Gain은 1이 되도록 하고, 출력저항을 작게 만든다. 1) n-채널 MOS의 Vt값 측정 및 I-V 특성 실험
2) MOS 증폭기 실험
|
|
|
합성저항과 같다. 입력임피던스의 변화는 없다
부가되는 스왐핑 저항은 트랜지스터의 베이스의 입력 임피던스를 증가시키기 때문에 따라서 증폭기의 전체적인 입력 임피던스가 증가한다. [결과]소신호 공통 에미터 교류 증폭기 실험
|
|
|
증폭기의 cutoff 주파수 - 70kHz
emiiter follower의 cutoff주파수가 더 높은데, 이것은 emitter follower의 bandwidth가 더 넓다 는 것을 의미한다.
5. Conclusion & Evaluation
-> 이번실험은 BJT의 저주파와 고주파영역에서의 특성을 실험했는데, 실험이 약간의 차이
|
|
|
실험하면서 피땀흘렸던 것을 생각하면 말이다. 또 오실로스코프를 이용한 미적분회로 실험에서도 삼각파가 유용하게 쓰일 것이다.
Rise time과 Fall time을 구하는 방법도 여러 가지 였다. 함수를 이용해서 구하는게 물론 편하긴 하지만 그 개념을
|
|
|
증폭기모델은 그림과 같이된다.
=
=
=
, ,
,Rt=Rs+rx+rπ
3. 실험 과정
(1) 그림과 같은 회로를 구성하라(VCC +15V)
(2) 출력에 오실로 스코프를 연결하고 출력 전압 파형이 일그러짐이 없도록 신호발생기의 입력(특히 진폭)을 조정하여라.
(3) 신호발생기
|
|
|
회로를 섬세히 관찰한 후 어떤 실장방식으로 되어있는지 추측한다. 이것으로 미세적인 pixel의 배치를 알아본다. 외관의 크기와 UV-VIS spectrophotometer로 TFT-array와 Color filter의 transmittance를 측정한다.
Ⅱ. 실험재료 및 기구 : 3.5“(AUO, LG전자)와
|
|
|
3. 유전체손
Ⅲ. 변압기의 전압
1. 변압기에 의한 전압의 승압 및 감압
2. 변압기를 이용한 전원과 부하의 임피던스 정합 원리
Ⅳ. 변압기의 극성
Ⅴ. 변압기와 송전
Ⅵ. 변압기와 단상변압기
Ⅶ. 변압기와 증폭기
참고문헌
|
|
|
실험한 회로도이다.
Ri=30K, Rd=2K, Cd=0.1u
여기서 Ci값을 0.047uF, 0.2uF일때의 출력파형이다.
다음은 보드선도이다.
여기서 Ci=0.1uF로 고정하고 Cd의 값을 0.01uF, 0.02uF, 0.047uF로 한 출력파형이다.
다음은 보드선도이다.
이번에는 초기값을 고정하고 Ri의
|
|
메뉴펼치기
