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회로를 ５V보다 높은 전압에서 동작 시키고도 다음단에 디지탈 IC를 전압을 맞출 필요없이 바로 사용할 수있어서 편리하다.
보다 정밀한 기준전압을 만들려면 제너다이오드나 기준전압 발생기를 사용해야 하겠지만 우리 실험에서는 저항을
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회로에 대해서 무신호시의 출력전압을 정확히 제로로 하기 때문에 내부 회로의 언밸런스에 의해 발생되는 부정전압(=offset)을 보정할 수 있도록 회로를 구성하는 것이 많다.)
이상적인 연산증폭기의 요건
전자소자의 동작 특성을 이해하기 위
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실험 방법
1)가산 증폭 회로
다음 회로를 구성하고 INPUT 그리고 OUTPUT의 전압파형을 저장하고 각각의 진폭을 기록하고 spice 시뮬레이션한 것과 비교해 본다. (단, Vin=1Vp-p, f=1kHz)
2)차등 증폭 회로
다음 회로를 구성하고 INPUT 그리고 OUTPUT의 전압파
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차동증폭회로로 증폭하는 것이 [MOS 홀 IC]이다.
이것은 단일 확산 프로세서로 제조 가능하며, 특성의 안정성이 좋고 양산도 가능하며, 사용온도는 0∼75℃ 정도이다.
*Low Power Switch IC*
3. 실험 장비 및 부품
(1) 필요한 장비 및 부품
① 브레드 보드
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실험에서 모든 IC는 전원 Vcc=+5V를 14번 핀에 연결하고 0V 즉 접지으 7번 핀에 연결한다. 이 실험에서 전압표를 완성하는 것과 CRO로 파형을 보고 그래프지에 그리느 두가지 실험을 행한다. 전압표를 채울 때는 표에 지정된 위치에서의 전압을 CRO
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회로에 전류 I가 흐를 때 원 중심점에서의 자속밀도는 몇 Wb/m2 인가 ?
① ② ③ ④
3. 형성평가 문제
번호
내용
문항
1
자석과 전자석
2
3
자석의 성질
자석의 용도와 기능
4
자기장의 성질 Ⅰ. 단원명 : 3. 자기와 전자석
Ⅱ. 단원 설정 이유
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회로로서 스위치로 막고 있다가, 스위칭 주파수에 맞게 스위치를 여닫으면서 필요전압을 공급한다.
4) 함수 발생기
- 주파수 발생기로도 불리워지는 함수 발생기는 실험에 필요한 적절한 주파수를 발생 시키기 위한 것으로 각각 정현파, 삼각
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실험보다 비교적 쉽게 이해할 수 있었다. 또한 왜 다이오드 이름 앞에 슈퍼를 붙이는지 슈퍼다이오드의 역할을 통해 그 이유를 알 수 있었다. 슈퍼다이오드를 이용한 회로는 입력전압이 음일때는 출력전압이 0으로 나왔고, 양일때는 입력전압
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실험이었다. 그냥 그 크기 비교만을 하는 것이 아니라 큰 신호를 출력시켜 줄 수 있는 회로는 기본적인 Comparator의 입력을 간단히 feedback 시키는 것 만으로 가능했던 사실이 매우 흥미로웠다. 이제 점점 의용전자2시간의 진도와 차이가 많이 나
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실험에 비해 새로운 개념이 많이 등장했다. GBP나 slew-rate들도 알게 되었다. 아직 의용전자2는 진도를 나가지 못해 이론적으로 아는 점이 없어 시뮬레이션 분석이 힘들었다. 이번 실험9의 실험절차를 통해서 더 깊게 이해할 수 있을거라 생각한
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