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실험이었다.
♠ 참고
집적회로 [集積回路, integrated circuit]
많은 전자회로 소자가 하나의 기판(基板:substrate) 위 또는 기판 자체에 분리가 불가능한 상태로 결합되어 있는 초소형 구조의 기능적인 복합적 전자소자 또는 시스템.
전자기술의 진보
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V
VD2 = 3.966 V
VbG = 2.453 V
VG1 = 3.001 V
VG2 = 3.001 V
VS = 0.657 V
IREF = 20.04 mA
ISS = 20.04 mA
를 인가해 주고 주어진 노드의 파형의 진폭은 다음과 같다. ,진폭 49.5mV , 진폭 380mV 25.9mV, 전압이득 : 380mV/50mV=7.6V/V 으로 구해졌다.
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증폭기와 R, C 회로로 구성되는 필터를 능동 필터(active filter)라고 한다. 수동필터와 비교했을 때 능동 필터의 장점은
(1) 전달함수의 최댓값을 1보다 크게 할 수 있음.
(2) 부하효과의 영향이 최소화 됨
(3) 수동 필터 요소의 하나인 인덕터를 연산
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증폭기 작성
2) 다이오드를 이용한 리미터 회로 작성
(3) 설계과정 중 결정
1) 반전증폭기 설계
2) 다이오드를 이용한 리미터회로
(4) 회로도 &시뮬레이션 결과
1) 반전증폭기 회로도& 시뮬레이션결과
2) 리미터 회로도 & 시뮬레이션 결과
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증폭기의 증폭 비율이 상승 한다는 것도 알 수 있었다. 그리고 부하저항이 있는 경우와 없는 경우 비교시 없는 경우가 전압이득이 더 큰 것을 알 수 있었고 그리고 C-D Amplifer에 대해서도 더 자세히 알 수 있었다.
이번실험을 하면서 전자회로
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Model library
2) SPICE Level 1 model의 parameter 및 각각의 의미.
3) Transient analysis, DC analysis, AC analysis, Parametric analysis
□ 실험방법
1)실험 1 : R, C, OP_AMP를 이용한 1차 고역통과필터 및 증폭기
2)실험 2 : Common Emitter 증폭기
□ 예측값 분석
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회로와 에미터 팔로워를 같이 구성한 증폭회로를 구성해서 결과를 확인해보는 것도 좋을듯하다. 이로써 한 학기 동안의 실험을 모두 마쳤다. 이론으로만 배울 땐 어렵게 느껴졌던 전자회로를 실험을 통해 다시 배우면서 제대로 이해할 수 있
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실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등)
3. 양단 전압 = 0 V
6.
9. 양단 전압 = 0 V
10. 양단 전압 = 1.13 V
11.
17. 첨두치 전압 = 13
18. 전력 = 0.42 Watt
19. 첨두치 전압 = 9 , 전력 = 0.2 Watt
29. 왜곡이 나타나는 “+”전압 = 9 V
30. 높은 음량에서
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공통 소스 증폭기 회로도
공통 소스 증폭기 시뮬레이션 1. 목적
2. 이론
(1) 증폭기로서의 FET
(2) 공통-소스 증폭기
(3) JFET의 바이어스
(4) 전압분배기와 소스 바이어스
3. 공통 소스 증폭기 회로도 및 시뮬레이션(피스파이스)
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발표를 하고난 후) 결과가 완벽하게 깨져버렸다. 갖은 튜닝 끝에 회로의 안정은 찾았지만 이득이 15dB 아래에 머물렀고 Noise도 2dB를 육박했다. 원인을 찾아본 결과 DC 동작점에서 전류 에 문제가 있었음을 발견하였다. 그래서 값을 차례로 변화
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