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실험.NMOS 증폭기
1.Orcad 결과
<공통 - 소스 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
<공통 - 게이트 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측
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NMOS 혹은 PMOS의 상태가 on/off 된다는 특성이 있어 입력 전압을 변화시키며 출력 파형을 확인한 결과 input이 2V가 넘어가는 시점부터 출력 전압이 반전되어 나오는 것을 확인할 수 있었다.
6. 참고문헌
[1] 대학전자회로 실험, 1997년, 청문각, 이승
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PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교재, 아주대학교, 2011. < 1. 설계부품 >
< 2. 설계 준비 사항 >
< 3. 실험 과정 및 실험 결과(실제 실험 결과를 시뮬레이션과 비교분석) >
< 4. 실험 결과에 대한 토의 및 고찰 >
< 5. 참 고 문 헌 >
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회로에서 출력 파형의 왜곡에 따른 포화 상태의 도달에 대해서 알 수 있는 실험이였다. 실험이 대체적으로 PSPICE 시뮬레이션 결과와 비슷하게 나와 실험을 순조롭게 진행할 수 있었다.
3. 결론 이미터 접지 증폭기에 대해 실험을 해보고 트랜지
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회로가 증폭기로서 동작할 때 전압이득은 얼마인가?
(a) -10 (b) -1
(c) 1(d) 10
⇒ 회로가 증폭기로서 동작할 때는 Rf/Rs의 전압이득을 가지고 증폭기로서 동작하므로, -22㏀/2.2㏀=-10의 전압이득을 가지게 된다
3. 그림 31-1B의 회로가 적분기로서 동작
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회로는 입력전압이 미리 정해진 기준값보다 더 큰지 또는 더 작은지를 결정할 수 있게 된다. 또한 앞에서 사용된 증폭기에서는 feedback loop이 있는 폐회로의 상태에서 동작하였지만 이와 반대로 비교기에서는 feedback loop가 없는 개회로의 상태
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증폭기에서 슬루율은 무엇을 제한하는가?
(a) 입력임피던스(b) 동상신호제거비(c) 전압이득(d) 주파수응답
⇒ 연산증폭기에서 슬루율을 측정할시 증폭기의 폐회로이득이 1인상태에서 측정해야 하므로 결국 전압이득을 제한하는 것이다.
5. 그림
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증폭기의 동산신호제거의 측정단위는 데시벨(dB)이다.
4. 차동전압이득이 100이고 동상전압이득이 0.001이면 동상신호제거는 얼마인가?
(a) 40dB(b) 60dB
(c) 80dB(d) 100dB
⇒ CMR(dB)=20log( Av(d) / Acm ) 으로 즉 20log(100/0.001) = 100dB이 나온다.
5. 그림 28-1의 회로
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판단하였다. 그리고 가산증폭기에서는 실제로 그 값이 더해져서 나온다는 것을 볼 수 있었다. 선형 연산 증폭기 회로
1. 실험 결과 데이터
1)반전증폭기
2)비반전 증폭기
3)단위 이득 폴로워
4)가산 증폭기
2. 실험 결과 및 검토
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증폭기인지 각각의 증폭기의 특성을 살펴보고 응용되는 곳에 따라 어느 증폭기를 쓰는 것이 나은지를 살펴보는 것이 이 실험의 큰 의의라 생각이 들었는데 할 수가 없으니 아쉽다. 1. Ch17 실험 결과 데이터
(1) 실험 1 - 공동 이미터 DC 바이
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