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A0w0 = wt로 정의하면 |A(jw)| = wt/w = ft/f 가 되므로 unity-gain bandwidth를 알면 원하는 주파수에서의 dB값을 알 수있는 유용한 식을 얻을 수 있다
앞에서 해왔던 실험에 비해 새로운 개념이 많이 등장했다. GBP나 slew-rate들도 알게 되었다. 아직 의용전자2
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실험방법참고
②『물리학총론』Halliday,Resnick 원저, 김종오 역, 교학사 p.1109~1114
③『현대물리학』Eisberg,Resnick 원저, 김종오,송희성,이민호 공역, 교학사 p.30,33
④『새대학물리Ⅱ』서울대학교 물리교재 편찬위원회, 교문사 p.394
⑤ http://physica.gs
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객관식
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④
④
③
⑤
②
①3
②
②
②
④
①
⑤
①
③
④
①
⑤
③④
⑤
⑤
주관식
1. 북동풍 9m/s 2. 간 3. a:0.8A b:0.5A 4. 10A 5.가-산소 나-이산화탄소
6. 각막 망막 객관식1~20번
주관식1~6번
정답
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사고에 관한 이론
14.1 언어의 베르니케-게슈빈트 모델
14.2 읽기에 관여되는 피질영역: 양전자 사출 단층촬영에 의한 지도
14.3 사고에 관여하는 피질영역: 혈류 측정에 의한 지도
14.4 전전두피질의 손상에서 인지적, 사회적, 정서적 효과
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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결과의 적절성을 보여라. (두 주기의 입출력 파형이 출력되도록 설정, Run to time = ) ※ Diode : 1N4148
1. 반파 정류회로
2. 반파 정류회로
3. 반파 정류회로
4. 전파 정류회로
5. 클램퍼 회로
6. 건전지를 포함한 클램퍼 회로
Reference
[전자회로실험]
이
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회로의 schematic 및 VB, VE, IE, IC, VC, IB 를 확인하고 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라.
※ Transistor : Q2N3904
1. 고정바이어스 회로
그림 3-1
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고
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차이를 보일 수 있음)
그림 4-4
Schematic
Vo
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
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결과적으로 이 회로의 구조가 변수 변화에 덜 민감한 것이다.
컬렉터 귀환 회로에서의 이론적 전압 해석은 V_CC-(I_C+I_B ) R_C-I_B R_B-V_BE=0 이고 식 I_C=βI_B 식을 통해 정리하면 쉽게 전류를 구할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시
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회로는 두개의 BJT 트랜지스터를 하나의 IC 패키지 내에 제공한다. 달링턴 회로 β의 실효값(β_D)은 각 트랜지스터 값의 곱과 같다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 3
실험방법 및 유의사항 11
참고문헌 11
(별지) 측정 Dat
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