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장비사진]
(http://www.conrad.com/ce/en/product/123113/VOLTCRAFT-8202-Function-Generator-Frequency-Generator)
[멀티미터 장비사진]
(http://programatory.com.pl/sklep/index.php?p292,multimetr-mxd-4660a-metex)
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~ 14 V로 설정하고, 두 주기의 입/출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time =
(단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율과 차이를 보일 수 있음)
그림 5-16
Schematic
Vo (Vdd= 9 V)
Vo (Vdd= 10 V)
Vo (Vdd= 11 V)
Vo (Vdd= 12 V)
Vo (Vdd= 13 V)
Vo (Vdd= 14 V)
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실험 - Ch.6 신호분석기 동작 및 공통 이미터 증폭기의 주파수 응답
PSpice를 통해 주어진 회로를 구성하여 시간 영역(과도)해석을 수행하라. 또한, 회로의 Schematic 및 입력전압(), 출력전압()의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절
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결과에서 전체 전류 I = 91.33[mA], I1 = 50.33[mA],
I2 = 25.11[mA], I3 =17.05[mA]로 키르히 호프의 전류법칙 에 따라,
I = I1+I2+I3 가 성립한다.
④ PSpice 시뮬레이션.
⑴ [그림 5-4] 의 실험 회로에 대하여 PSpice 시뮬레이션을 수행해라. 시뮬레
이션 결과를 참조하
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3. 옴의 법칙과 저항의 직렬/병렬회로
4. 키르히호프의 법칙
5. 오실로스코프의 사용법
6. 캐패시터의 특성 및 RC 직렬회로
7. 파형의 미분과 적분
8. 인덕터의 특성
9. 인덕터의 직/병렬연결 및 RL직렬회로
10. RL 및 RC병렬회로
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전자가 들어가는 끝인 Drain(그러므로 전류의 방향: Drain -> Source), 마지막으로 P형 영역인 Gate로 이루어지며 이 단자들은 각각 BJT의 Emitter, Collector, Base와 연관지어 비교할 수 있다. 실험에 관련된 이론 1
실험회로 및 시뮬레이션 결과 2
실
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회로에서 Vdc를 구할 때는 두 개의 Si 다이오드를 통과 하므로 2VT를 빼야 하는데 처음에 하나의 다이오드의 값만 빼서 실험 결과값이 크게 달라졌었다.
10) 트랜스포머의 2차 전압을 설정하기 위해서는 DMM으로 확인하며 함수 발생기로 1차 전압
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회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
6 ) 문턱전압
이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향
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전압 신호의 주기를 알려면 수평감도 와 수평칸수를 곱하여주거나 고등학교 때 배웠던 공식인 주기는 진동수 분의 1이라는 공식을 사용하여도 됩니다. 0. 실험 목적
실험 이론
실험 내용 및 결과
토의 및 고찰
질의 응답
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1
0100
0
0101
0
0110
1
0111
0
1000
0
1001
1
1010
X
1011
X
1100
X
1101
X
1110
X
1111
X
BA
DC
00
01
11
10
00
0
0
1
0
01
0
0
0
1
11
X
X
X
X
10
0
1
X
X
그림 8-6 3으로 나누어 떨어지는 BCD수에 대한 Karnaugh맵
맵으로부터 읽은 최소 SOP : X=AD+ABC+ABC
AD
ABC
ABC
회로도
표 8-5의 실험결과
3 = 00
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