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실험장치
- Electron diffraction. Tube a. mounting
- High voltage supply unit 0-10kV
- High-value resistor, 10 MOhm
- Power supply,0….600VDC
- Vernier caliper, plastic
- Connecting cord
4. 실험방법
● 그림과 같이 실험장치를 배치하고 전원공급 장치에 전자회절 튜브의 소켓을 연
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감소시켜 f=250Hz 일 때는 커패시터의 임피던스가 4배가 되어 커패시터에 걸리는 전압이 더 많아짐을 관측할 수 있었다. 실험 3. 접지 개념
1. 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고서
6. 결과 보고서
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실험 결과, 교제에서 본 것과 같이, 실리콘 다이오드는 0.7V 게르마늄 다이오드는 0.3V 에서 정확히 문턱 전압을 보이지 아니 하였고 실제로는 실리콘은 0.6V이하, 게르마늄 다이오드는 0.25V정도로 약간 작았다. 전체적으로는 비슷한 모양을 가지
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3 }
( )
ㅇ 반주기를 10 정도로 하는 것이 좋으므로 주기는 20 로 한다.
omega = { 1 } over { 2 TIMES 10 TIMES 10 TIMES 10^{ -6 } } =5
(kHz)
4) 실험 3.3의 회로에서 FG출력(CH1)과 커패시터전압(CH2)을 동시에 관측할 수 있도록 회로와 오실로스코프의 연결상태를 그
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회로와 RL회로의 전달함수의 크기와 주파수특성을 실험적으로 구할 때 측정주파수를 각각에 대해 결정하라. (실험계획 3.2, 3.6 참조. 예 : 100, 200, 400, 600 ㎐ 등, 그러나 변화가 많은 부분에서는 주파수 간격을 작게 해야 한다.)
초기 30㎑까지 곡
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회로에 비해 무척이나 감소함을 알 수 있었다.
실험 22장에 대한 복습문제
1. 그림 22-1의 회로에서 IDSS=10㎃, gm0=5000㎲일 때, 게이트로부터 드레인으로의 전압이득은 대략 얼마인가?
(a) 0.6 (b) 0.7
(c) 2 (d) 4
⇒ 위에서 설명한 공식들을 각각 이용해
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6
1.360
0.29
- IR1‘+IR1‘’ = IR1, IR2‘+IR2‘’ = IR2, IR3‘+IR3‘’ = IR3 가 만족되는 것을 실험을 통하여 확인할 수 있었다. 때문에 중첩의 정리가 성립한다는 것을 실험적으로 확인할 수 있었다.
B. 가역 정리
1) 그림 12의 회로를 결선한다.
2) 단자 A,
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실험에서 사용한 적분기는 High Pass Filter의 역할을 한다는 것을 알 수 있었다.
실험 31장에 대한 복습문제
1. 그림 31-1A의 회로가 미분기로서 동작하는 상한주파수는 대략 얼마인가?
(a) 3㎑(b) 3.3㎑
(c) 3.6㎑(d) 15㎑
⇒ 의 저주파 응답을 먼저 고려
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실험을 통해 그동안 배운 회로에 대한 응용에 대한 지식과 자신감을 갖는 좋은 기회가 되었다.
< 5. 참 고 문 헌 >
- FUNDAMENTALS OF MICROELECTRONICS, RAZAVI, WILEY, 2008.
- FEEDBACK CONTROL OF DYNAMIC SYSTEMS, F.FRANKLIN, PEARSON PRENTICE HALL, 2010.
- 전자회로실험 교재
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실험적으로 결정하여 이 값을 표 1.1에 기록한다.
5. 식 CT = C1 + C2 + ····· 을 써서 CT를 계산하고 이 값을 표 1.2에 기록한다.
6. 그림 1.4의 회로에 이미 들어있는 2개의 캐패시터에 병렬로 0.1uF의 용량을 가진 캐패시터를 추가 연결한다.
4.2 직렬
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